用于低容量TVS的封装结构制造技术

本文提供了用于低容量瞬态电压抑制(TVS)设备的封装结构。在一个示例中，封装结构可包括包含管芯焊盘的第一引线框和耦合到所述第一引线框的芯片堆叠体。所述芯片堆叠体可以包括耦合到所述管芯焊盘的瞬态电压抑制(TVS)设备、耦合到TVS设备的焊料晶片和耦合到所述焊料晶片的玻璃钝化托盘(GPP)设备。料晶片的玻璃钝化托盘(GPP)设备。料晶片的玻璃钝化托盘(GPP)设备。

【技术实现步骤摘要】
用于低容量TVS的封装结构


[0001]本公开总体上涉及半导体器件领域，并且更具体地涉及一种用于低容量瞬态电压抑制(TVS)设备的封装结构。

技术介绍

[0002]封装集成电路通常是半导体器件制造的最后阶段。在封装过程中，代表半导体器件核心的半导体管芯被包装在保护管芯免受物理损坏和腐蚀的外壳中。例如，半导体管芯通常使用焊料合金回流、导电环氧树脂等安装在铜基板上。然后安装的半导体管芯通常被包封在塑料或环氧化合物内。
[0003]随着对半导体器件的功率要求的提高，更大的半导体管芯(有时称为“大面积半导体管芯”)对于提供相应更高水平的电流处理变得很有必要。在某些情况下，例如在TVS二极管应用中，多个大面积管芯必须以堆叠体配置串联连接，以提供足够高的击穿电压。然而，用于例如表面安装c-型(SMC)封装的越来越大的半导体管芯具有过大的焊料空洞率。针对至少这一缺点而提供了本公开。

技术实现思路

[0004]提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式引入一些概念，这些概念将在下面的具体实施例中进一步描述。
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，包括：包括管芯焊盘的第一引线框；和耦合到所述第一引线框的芯片堆叠体，其中，所述芯片堆叠体包括：耦合到所述管芯焊盘的瞬态电压抑制(TVS)设备；耦合到TVS设备的导电晶片；以及耦合到所述导电晶片的玻璃钝化托盘(GPP)设备。2.根据权利要求1所述的封装结构，还包括：耦合到GPP设备的夹片；以及连接到所述夹片的第二引线框。3.根据权利要求2所述的封装结构，还包括包围所述芯片堆叠体和所述夹片的包封件，其中，所述第一引线框和所述第二引线框在所述包封件的外部延伸。4.根据权利要求2所述的封装结构，还包括在所述TVS设备和所述管芯焊盘之间的第一焊料。5.根据权利要求4所述的封装结构，其中，所述管芯焊盘包括凹入式通道，并且其中，所述第一焊料在所述凹入式通道内延伸。6.根据权利要求5所述的封装结构，其中，所述凹入式通道包括限定u形轮廓或v形轮廓的一组壁。7.根据权利要求4所述的封装结构，其中，所述夹片包括第一接触区和第二接触区，其中，所述第一接触区通过第二焊料连接到所述GPP设备，并且其中，所述第二接触区通过第三焊料连接到所述第二引线框。8.根据权利要求1所述的封装结构，其中，所述导电晶片被夹在所述TVS设备和所述GPP设备之间。9.一种半导体封装，包括：包括管芯焊盘的第一引线框；和耦合到所述第一引线框的芯片堆叠体，其中，所述芯片堆叠体包括被夹在瞬态电压抑制(TVS)芯片和玻璃钝化托盘(GPP)芯片之间的焊料晶片。10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，TVS芯片通过第一焊料耦合到所述管芯焊盘。11.根据权利要求10所述的半导体封装，还包括：耦合到GPP...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锋，周继峰，蔡颖达，
申请(专利权)人：力特半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：