具有改进的阻带衰减特性的叠层滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种具有改进的阻带衰减特性的叠层滤波器，其适用于使用射频的装置，例如通信系统和／广播系统中。当输入引线和／或输出引线的馈线耦合到谐振器图案时，叠层滤波器形成交叉电容耦合，从而增强了阻带的衰减特性。而且，如果输入引线和输出引线的馈线在不同层中对准，则叠层滤波器被最小化，并且通过调节馈线长度容易地控制衰减极的位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用在诸如通信系统和/或广播系统等使用射频(RF)的装置上的叠层滤波器，特别是涉及这样一种叠层滤波器，当输入引线和/或输出引线的馈线耦合到谐振器图案时，其能够形成交叉电容耦合，并能够增强阻带的衰减特性，如果输入引线和输出引线的馈线在不同层中对准，其可以被最小化，并且基于馈线长度的调整，可以容易地调整衰减极的位置。
技术介绍
通常，通过具有特定频带的信号的带通滤波器包括多个LC谐振器。例如，图1中描绘了现有技术的叠层滤波器。如图1所示，现有技术的叠层滤波器被制成包括彼此层压在顶部的电介质膜薄片11A和11B。在电介质膜薄片11A和11B的内侧分别叠置电介质接地薄片12A和12B，并在电介质接地薄片上分别形成接地电极G1和G2。在电介质接地薄片12A和12B之间设置有三个电介质薄片13、14和15。电介质薄片13形成位于其两侧的输入和输出馈线13a和13b以分别连接到外部输入和输出电极。在电介质片13上形成分别与输入和输出馈线13a和13b连接的电容器图案13c和13d。而且，电介质薄片14在其上形成第一和第二平行谐振器图案Q1和Q2，其长度相对中心频率小于λ/4。将第一和第二平行谐振器图案Q1和Q2分别进行设置以面对电容器图案13c和13d。第一和第二谐振器图案Q1和Q2以电磁互耦方式相互平行地耦合。电介质薄片15在其上形成耦合电容器图案15a，其中耦合电容器图案15a在第一和第二谐振器图案Q1和Q2之间形成另外的电耦合。耦合电容器图案15a可以调节两极滤波器的互耦量，在阻带上形成衰减极，并控制互耦量，从而可以调节阻带的衰减极位置。图2是图1中的现有技术叠层滤波器的等效电路图。如图2所示，IN和OUT分别对应于输入和输出引线。C1和L1形成第一谐振器图案Q1的LC等效电路，C2和L2形成第二谐振器图案Q2的LC等效电路。C3和L3通过第一和第二谐振器图案Q1和Q2之间的电磁互耦形成LC等效电路。另外，C4是第一谐振器图案Q1与电容器图案13c之间的电容，C5是第二谐振器图案Q2与电容器图案13d之间的电容，而C6是两个第一和第二谐振器图案Q1和Q2与耦合电容器图案15a之间的电容。FL1和FL2分别对应于输入和输出馈线13a和13b。图3是示出图1中的现有技术叠层滤波器的衰减特性曲线图，其中曲线图表示与大约为2.45GHz的中心频率fo有关的插入损失S21和反射损失S11。而且，示出了在6.8GHz的衰减极P1。然而，在现有技术的叠层滤波器中，电容器图案13c和13d仅与第一和第二谐振器图案中的一个相应谐振器图案耦合有利于限制衰减特性的增强。而且，由于输入和输出馈线13a和13b在同一陶瓷薄片上形成，现有技术的叠层滤波器的缺陷是电容的面积和长度的调节受到限制。图4是另一现有技术的叠层滤波器的分解透视图。在图4中的叠层LC滤波器中，输入和输出电容器图案72和73形成于陶瓷薄片52上。这里，陶瓷薄片52上还形成耦合电容器图案62。输入电容器图案72被设置成面对电感器图案54a和54b，并由LC谐振器图案Q1的电容耦合形成。输入电容器图案72的一端连接到陶瓷薄片52左侧露出的输入电极上。输出电容器图案73被设置成面对电感器图案55a和55b，并由LC谐振器图案Q2的电容耦合形成。输出电容器图案73的一端连接到在陶瓷薄片52右侧露出的输出电极上。耦合电容器图案62以及输入和输出电容器图案72和73被设置于在陶瓷薄片52上形成的电感器图案54a、55a、54b、和55b之间。这样，由于耦合电容器图案62以及输入和输出电容器图案72和73并不会阻挡由电感器L1和L2引起的磁场H，因此磁场H均匀地产生从而可以得到较大的电感。这里，附图标号60a和60b表示屏蔽图案，附图标号58a、59a、58b和59b表示电容器图案，而附图标号56a、57a、56b和57b表示与电感器图案54a、55a、54b和55b连接的较宽宽度部分。美国专利第6,437,665 B1号中披露了这种现有技术的滤波器。然而，与图1中所示的叠层滤波器相似，由于美国专利第6,437,665 B1号中披露的现有技术的滤波器被构造成输入和输出电容器图案形成电容耦合，当输入和输出电容器图案分别耦合到相应的电感器图案时，这限制了衰减特性的增强。而且，由于输入和输出电容器图案形成于同一陶瓷薄片上，因此现有技术的滤波器的缺陷是电容的面积和长度的调节受到限制。
技术实现思路
因此，鉴于上述问题而作出本专利技术，并且本专利技术的目的是提供一种叠层滤波器，当输入引线和/或输出引线的馈线耦合到谐振器图案时，其能够形成交叉电容耦合，并能够增强阻带的衰减特性。此外，本专利技术的另一个目的是提供一种叠层滤波器，如果输入引线和输出引线的馈线在不同层中对准，其可以被最小化，并且可以基于馈线长度的调整而容易地控制衰减极的位置。根据本专利技术，一个方面可以通过提供一种具有改进的阻带衰减特性的叠层滤波器来实现，该滤波器包括叠层结构、多个谐振器图案、第一互电容器图案、第一馈线、第二互电容器图案、第二馈线、以及耦合电容器图案。叠层结构包括多个介电层以及形成于该多个介电层的外侧面上的输入和输出电极。多个谐振器图案中的每个谐振器图案都按照预定间隔，单独地形成于多个介电层中的第一介电层上。第一互电容器(mutual capacitor)图案形成于与第一介电层相邻的第二介电层上，其中第一互电容器图案被设置成面对多个谐振器图案中的一个或多个谐振器图案的一部分以形成电容耦合。第一馈线形成于第二介电层上，其中第一馈线的一端连接到第一互电容器图案，而其另一端连接到输入电极或输出电极。第二互电容器图案形成于与第一介电层的一个侧面相邻的第三介电层上，其中第二互电容器图案被设置成面对多个谐振器图案中的一个或多个谐振器图案的一部分以形成电容耦合。第二馈线形成于第三介电层上，其中第二馈线的一端连接到第二互电容器图案，而其另一端连接到输入电极或输出电极。耦合电容器图案形成于第三介电层上，并且与第二互电容器图案和第二馈线间隔开，其中耦合电容器图案被设置成面对多个谐振器图案中的两个或多个谐振器中的每一个谐振器以形成交叉电容耦合。根据本专利技术，另一方面可以通过提供一种具有改进的阻带衰减特性的叠层滤波器来实现，该滤波器包括叠层、多个谐振器图案、第一互电容器图案、第二互电容器图案、第一馈线、第二馈线、以及耦合电容器图案。叠层包括多个介电层以及形成于该多个介电层的外侧面上的输入和输出电极。多个谐振器图案中的每个谐振器图案都按照预定间隔，单独地形成于多个介电层中的第一介电层上。第一互电容器图案形成于与第一介电层的一个侧面相邻的第二介电层上，其中该第一互电容器图案被设置成面对多个谐振器图案中的一个或多个谐振器图案的一部分以形成电容耦合。第二互电容器图案形成于第二介电层上，并远离第一互电容器图案，其中该第二互电容器图案被设置成面对多个谐振器图案中的一个或多个谐振器图案的一部分以形成电容耦合。第一馈线形成于第二介电层上，其中该第一馈线的一端连接到第一互电容器图案，而其另一端连接到输入电极或输出电极。第二馈线形成于第二介电层上，其中该第二馈线的一端连接到第二互电容器图案，而其另一端连接到输入电极或输出电极。耦合电容器图案形成于与第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有改进的阻带衰减特性的叠层滤波器，包括：叠层结构，包括多个介电层以及形成于所述多个介电层的外侧面上的输入和输出电极；多个谐振器图案，每个谐振器图案都按照预定间隔，单独地形成于所述多个介电层中的第一介电层上；第一 互电容器图案，形成于与所述第一介电层相邻的第二介电层上，所述第一互电容器图案面对所述多个谐振器图案中的一个或多个谐振器图案的一部分以形成电容耦合；第一馈线，形成于所述第二介电层上，所述第一馈线的一端连接到所述第一互电容器图案，而其另 一端连接到所述输入电极或所述输出电极；第二互电容器图案，形成于与所述第一介电层的一个侧面相邻的第三介电层上，所述第二互电容器图案面对所述多个谐振器图案中的一个或多个谐振器图案的一部分以形成电容耦合；第二馈线，形成于所述第三介 电层上，所述第二馈线的一端连接到所述第二互电容器图案，而其另一端连接到所述输入电极或所述输出电极；以及耦合电容器图案，形成于所述第三介电层上，并与所述第二互电容器图案和所述第二馈线间隔开，所述耦合电容器图案面对所述多个谐振器图案中的 两个或多个谐振器中的每一个以形成交叉电容耦合。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李东焕，朴晟烈，洪奇杓，尹熙洙，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]