一种超低衰减大有效面积单模光纤制造技术

本发明专利技术涉及一种超低衰减大有效面积单模光纤，包括有芯层和包绕芯层的包层，其特征在于所述的芯层半径r1为5～6.5μm，相对折射率Δn1为0.02～0.14％，所述的芯层为掺氯的二氧化硅玻璃层，芯层中氯的含量为0.4‑2wt％，所述的包层为由内向外依次包绕芯层的内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层，所述的内包层半径r2为9～14μm，相对折射率Δn2小于或等于‑0.18％，所述的下陷内包层半径r3为12～20μm，相对折射率Δn3小于或等于‑0.40％，所述的辅助外包包层半径r4为35～50μm，相对折射率Δn4小于或等于‑0.18％，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃外包层。本发明专利技术不仅衰减低，而且芯包层设置合理，粘度匹配优，制作工艺简便。

【技术实现步骤摘要】
201610420817

【技术保护点】
一种超低衰减大有效面积单模光纤，包括有芯层和包绕芯层的包层，其特征在于所述的芯层半径r1为5～6.5μm，相对折射率Δn1为0.02～0.14％，所述的芯层为掺氯的二氧化硅玻璃层，芯层中氯的含量为0.4‑2wt％，所述的包层为由内向外依次包绕芯层的内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层，所述的内包层半径r2为9～14μm，相对折射率Δn2小于或等于‑0.18％，所述的下陷内包层半径r3为12～20μm，相对折射率Δn3小于或等于‑0.40％，所述的辅助外包包层半径r4为35～50μm，相对折射率Δn4小于或等于‑0.18％，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃外包层。

【技术特征摘要】
1.一种超低衰减大有效面积单模光纤，包括有芯层和包绕芯层的包层，其特征在于所述的芯层半径r1为5～6.5μm，相对折射率Δn1为0.02～0.14％，所述的芯层为掺氯的二氧化硅玻璃层，芯层中氯的含量为0.4-2wt％，所述的包层为由内向外依次包绕芯层的内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层，所述的内包层半径r2为9～14μm，相对折射率Δn2小于或等于-0.18％，所述的下陷内包层半径r3为12～20μm，相对折射率Δn3小于或等于-0.40％，所述的辅助外包包层半径r4为35～50μm，相对折射率Δn4小于或等于-0.18％，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃外包层。2.按权利要求1所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述的内包层相对折射率Δn2为-0.18～-0.40％。3.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述的下陷内包层为掺氟的二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn3为-0.40～-0.61％。4.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，朱继红，吴俊，李鹏，汪洪海，王瑞春，
申请(专利权)人：长飞光纤光缆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42