一种抗光致损耗短波长低衰减单模光纤及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种抗光致损耗短波长低衰减单模光纤及其制备方法，属于特种光纤相关技术领域，其通过优选设计光纤的结构，形成包含高斯分布芯和阶跃分布芯的芯层，再配合各层中SiO<subgt;2</subgt;/F/Cl元素占比的优选设计以及各层相对折射率差的组合设置，可以准确得到抗光致损耗短波长低衰减单模光纤。本发明专利技术的抗光致损耗短波长低衰减单模光纤，其制备过程的控制简便，能够满足单模光纤在可见光蓝绿光波段下的应用，降低光纤中的Si‑O键缺陷和非桥键氧缺陷，满足抗光致损耗、短波长、低衰减的单模光纤应用需求，延长光纤的使用寿命，提升单模光纤的使用性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于特种光纤相关，具体涉及一种抗光致损耗短波长低衰减单模光纤及其制备方法。

技术介绍

1、随着光通信技术的高速发展，各式各样的光纤得到了研究和制备，并广泛应用于不同波长和不同环境中。1963年，duntley s q及gilbert g d等人在研究光波在海洋中的传播特性时，发现海水对0.47~0.58μm波段内的蓝绿光的衰减，比对其他光波段的衰减要小很多，证实在海洋中亦存在一个类似于大气中的透光窗口。根据这一现象，发射蓝绿光的激光器在水下目标探测、控制、通信等领域的巨大应用潜力逐渐被发掘。

2、在实际设置时，对于应用于可见光蓝绿光波段的光纤而言，其往往要求纯硅芯光纤，与掺ge光纤相比，纯硅光纤有更低的背景衰减和更高的抗辐照、抗色心形成能力。但在高功率水平下，由于高能带来的光纤结构缺陷，光致损耗仍然可能在纯硅芯光纤中发生，限制了光纤的使用寿命。光致损耗发生的根源在于“非桥键氧”的存在，而非桥键氧随着光功率的增加在光纤中产生，“非桥键氧”俘获电子/空穴形成具备特定能量的色心，色心吸收光子造成能量的损耗与光功率衰退，表现在以615~630本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抗光致损耗短波长低衰减单模光纤，包括由内至外依次设置的芯层、内包层和外包层，且所述内包层包括内外依次设置的第一包层和第二包层；其特征在于，

2.根据权利要求1所述的抗光致损耗短波长低衰减单模光纤，其特征在于，所述高斯分布芯与所述阶跃分布芯的相对折射率差满足如下关系：0.05%≤Δ1max-Δ2≤0.1%；

3.根据权利要求2所述的抗光致损耗短波长低衰减单模光纤，其特征在于，所述高斯分布芯的区域半径R1为1.0~1.5μm，所述芯层的半径R2为1.25~2.0μm；

4.根据权利要求1~3中任一项所述的抗光致损耗短波长低衰减单模光纤，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种抗光致损耗短波长低衰减单模光纤，包括由内至外依次设置的芯层、内包层和外包层，且所述内包层包括内外依次设置的第一包层和第二包层；其特征在于，

2.根据权利要求1所述的抗光致损耗短波长低衰减单模光纤，其特征在于，所述高斯分布芯与所述阶跃分布芯的相对折射率差满足如下关系：0.05%≤δ1max-δ2≤0.1%；

3.根据权利要求2所述的抗光致损耗短波长低衰减单模光纤，其特征在于，所述高斯分布芯的区域半径r1为1.0~1.5μm，所述芯层的半径r2为1.25~2.0μm；

4.根据权利要求1~3中任一项所述的抗光致损耗短波长低衰减单模光纤，其特征在于，所述第二包层的相对折射率差δ4与所述高斯分布芯中心的相对折射率差δ1max满足如下关系：δ1max-δ4≥0%。

5.根据权利要求1~3中任一项所述的抗光致损耗短波...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱际威，李羽，岳灵，钟力，杨坤，杨晨，
申请(专利权)人：长飞光纤光缆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：