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本发明公开了一种抗光致损耗短波长低衰减单模光纤及其制备方法，属于特种光纤相关技术领域，其通过优选设计光纤的结构，形成包含高斯分布芯和阶跃分布芯的芯层，再配合各层中SiO<subgt;2</subgt;/F/Cl元素占比的优选设计...
该专利属于长飞光纤光缆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长飞光纤光缆股份有限公司授权不得商用。

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