【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种将DGS(缺陷地结构)应用于低通滤波器，属于无线通信
技术介绍
EBS(电子能带结构)和PBG(光子带隙结构)是目前公认的可以产生带隙特性的结构。 目前国内外所提出的PBG结构多种多样，比如在介质基板穿孔，在介质基板中填充其他 材料或金属等等。但是这些方式在机械加工上具有一定的难度，尤其对于目前微波电路 的集成化发展来说，不能很好地相互融合；而且，在微波毫米波电路中，PBG结构由于电 路模型复杂、尺寸过大，使其在结构紧凑的微波毫米波组件的应用中受到限制。在光子带隙结构的研究基础上，1999年J.I. Park等人提出了缺陷地结构。它通过在 微带线金属接地板上蚀刻出周期或者非周期的缺陷图案来实现，改变电路衬底材料有效 介电常数的分布，从而改变微带线的分布电感和分布电容，使得具有DGS结构的微带线 呈现出带隙特性和慢波效应。相对于PBG结构来说，DGS结构尺寸更小，故能大大减小介 质板尺寸、降低介质损耗和经济成本、便于电路集成化；无需建立周期结构，单元的等 效电路易于提取，便于快速分析。因此，从DGS结构被提出以来，基于DGS结构的微波...
【技术保护点】
一种基于缺陷地结构的低通滤波器，包括介质基板（１）、微带线（４）、接地金属板和在接地金属板上蚀刻的缺陷地结构（５），其特征在于所述缺陷地结构（５）是由两个对称的扇形槽（２）通过一个矩形连接槽（３）相连接构成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王慧娜，李国辉，严军，齐雪蕊，陈欢，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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