一种显示模组中肖特基二极管的性能检测系统及检测方法技术方案

技术编号:32663070 阅读:17 留言:0更新日期:2022-03-17 11:14
本发明专利技术公开一种显示模组中肖特基二极管的性能检测系统及检测方法,该检测系统包括:标准数据库、选择调用模块、电压源模块、测试模块、数据处理模块和输出模块,根据SD器件型号存储多组标准数据组形成标准数据库,多组标准数据组中的电压值按标准增幅梯次递增;选择调用模块用于选择SD器件的型号;电压源模块用于输出正向和反向的直流电压至SD器件两端,输入正向直流电压时按第一增幅梯次递增,输入反向直流电压时按第二增幅梯次递增;测试模块用于导通SD器件两端,形成电压值与电流值的检测数据组,并将该检测数据组发送至数据处理模块;数据处理模块将检测数据组与标准数据组进行比对;输出模块用于输出检测结果。输出模块用于输出检测结果。输出模块用于输出检测结果。

【技术实现步骤摘要】
一种显示模组中肖特基二极管的性能检测系统及检测方法


[0001]本专利技术涉及显示屏或触摸屏
,尤其涉及一种显示模组中肖特基二极管的性能检测系统及检测方法。

技术介绍

[0002]在目前的显示模组行业中,一般在FPC上设置有肖特基二极管 (Schottky Diodes,后面简称SD),其为一种保护性器件。现有的模组成品检测中没有针对SD器件进行检测的方法和方案,只是在点亮测试工序查看成品模组是否能够正常点亮。这样的模式往往在SD器件完全损坏的情况下才能得到直观的呈现(完全损坏时模组无法点亮),对于微击穿的SD器件,此种方法无法检出,以致于将此部分不产品良流出到客户端,造成客户装机后,整机闪屏、不显、电流异常、功耗偏高等问题,引起客户投诉等问题,给生产企业带来繁琐的事故处理,造成了一定的经济损失。
[0003]而对于微击穿的SD器件,此种方法无法检出的有以下几个原因:
[0004](1)模组厂治具使用的电源驱动能力较大,对于SD器件微击穿所引起的上电瞬间抽电现象不明显,导致无法检出;
[0005](2)在整机端,电池的带载能力有限,任何部件上电瞬间的抽电现象都会引起电池带载能力不足,故而导致屏闪、不显、电流异常、功耗偏高等问题。

技术实现思路

[0006]针对现有技术存在的问题,本专利技术的主要目的是提供一种显示模组中肖特基二极管的性能检测系统及检测方法,以在模组端检测出模组成品上SD器件是否为不良器件,避免流出客户端,造成整机报废,降低工厂的经济损失。
[0007]本专利技术的技术方案如下:本专利技术提供一种显示模组中肖特基二极管的性能检测系统,包括:标准数据库、选择调用模块、电压源模块、测试模块、数据处理模块和输出模块,
[0008]根据SD器件型号存储多组标准数据组形成所述标准数据库,其中每组标准数据组包括SD器件标准品两端输入的电压值和在该电压值下的电流值,多组标准数据组中的电压值按标准增幅梯次递增;
[0009]所述选择调用模块用于选择SD器件的型号,以便从标准数据库中调用相应的标准数据组;
[0010]所述电压源模块用于输出正向和反向的直流电压至SD器件两端,输入正向直流电压时按第一增幅梯次递增,输入反向直流电压时按第二增幅梯次递增,所述第一增幅小于第二增幅,所述标准增幅小于等于所述第一增幅;
[0011]所述测试模块用于导通SD器件两端,测试SD器件两端的电流值,形成电压值与电流值的检测数据组,并将该检测数据组发送至数据处理模块;
[0012]所述数据处理模块将检测数据组与标准数据组进行数据比对;
[0013]所述输出模块用于输出检测结果。
[0014]进一步地,所述正向直流电压值范围为0

0.5V,所述第一增幅为 0.05

0.1V。
[0015]进一步地,所述反向直流电压值范围为0

40V,所述第二增幅为 1.5

2.5V。
[0016]进一步地,所述数据比对的规则包括:SD器件两端输入正向直流电压时,电流检测结果大于该正向直流电压下标准数据组中的电流值判定为合格,否则为不合格;SD器件两端输入反向直流电压时,电流检测结果小于该反向直流电压下标准数据组中的电流值判定为合格,否则为不合格。
[0017]进一步地,所述检测结果包括:对于判定合格的数据用第一颜色标示,对于判定不合格的数据用第二颜色标示,所述第一颜色与所述第二颜色不同。
[0018]进一步地,所述标准数据库、所述选择调用模块、所述电压源模块、所述测试模块、所述数据处理模块和所述输出模块均运行于一单片机上,所述测试模块还包括检测探针。
[0019]本专利技术还提供一种利用以上的检测系统进行显示模组中肖特基二极管的性能检测方法,包括以下步骤:
[0020]获取多个型号SD器件标准品的多组标准数据组,并存储于标准数据库中;
[0021]在选择调用模块中选择SD器件的型号,确定调用的标准数据组;
[0022]先后施加正向和反向的直流电压至检测SD器件两端,其中输入正向直流电压时按第一增幅梯次递增,输入反向直流电压时按第二增幅梯次递增;
[0023]数据比对;
[0024]显示检测结果。
[0025]进一步地,通过控制电压源模块输出电压至测试模块的探针上,通过所述探针施加直流电压至检测SD器件两端。
[0026]进一步地,所述数据比对包括利用数据处理模块匹配同一型号下的标准数据库中的标准数据组,对同一直流电压下的,对检测数据组与标准数据组进行比对,并将检测结果发送至输出模块。
[0027]进一步地,所述数据比对的比对规则包括:SD器件两端输入正向直流电压时,电流检测结果大于该正向直流电压下标准数据组中的电流值判定为合格,否则为不合格;SD器件两端输入反向直流电压时,电流检测结果小于该反向直流电压下标准数据组中的电流值判定为合格,否则为不合格。
[0028]采用上述方案,本专利技术提供一种显示模组中肖特基二极管的性能检测系统及检测方法,具有以下有益效果:
[0029](1)利用本专利技术的检测系统,可有效拦截SD器件微击穿的异常显示模组,加强了显示模组的品质管控,避免了不良品流入客户端,造成整机报废,而给生产厂家造成经济损失,大大减轻了售后压力。
[0030](2)本专利技术的检测系统,简单易组装,制造成本低,检测方法快捷简便,准确性高。
附图说明
[0031]图1为本专利技术的显示模组中肖特基二极管的性能检测系统的模块示意图。
[0032]图2为本专利技术的显示模组中肖特基二极管的性能检测方法的工作流程示意图。
具体实施方式
[0033]以下结合附图1

2和具体实施例,对本专利技术进行详细说明。
[0034]首先,如图1所示,本专利技术提供一种显示模组中肖特基二极管的性能检测系统,该系统运行于一单片机上,其包括:标准数据库模块、选择调用模块、电压源模块、测试模块、数据处理模块和输出模块。
[0035]其中,所述标准数据库的建立,是将多种SD器件型号的多组标准数据组进行存储,其中每组标准数据组包括一器件型号下SD器件标准品两端输入的电压值和在该电压值下的电流值。多组标准数据组中输入的电压值按标准增幅梯次递增。其中一个标准品的多组标准数据组的获取渠道,可以为通过产品供应商的检测结果获得,或对该标准品进行检测获得。为达到有效的调用比对效果,一般直流电压值从0V开始递增,标准增幅一般设定数值较小,如0.01

0.05V。
[0036]所述选择调用模块用于选择SD器件的型号,以便与标准数据库中的器件型号相匹配,从标准数据库中调用相应的标准数据组。
[0037]所述电压源模块用于输出正向和反向的直流电压至SD器件两端,以获取该直流电压下的电流值。其中,输入正向直流电压时,电压值从0V开始,按第一增幅梯次递增,最大值一般本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示模组中肖特基二极管的性能检测系统,其特征在于,包括:标准数据库、选择调用模块、电压源模块、测试模块、数据处理模块和输出模块,根据SD器件型号存储多组标准数据组形成所述标准数据库,其中每组标准数据组包括SD器件标准品两端输入的电压值和在该电压值下的电流值,多组标准数据组中的电压值按标准增幅梯次递增;所述选择调用模块用于选择SD器件的型号,以便从标准数据库中调用相应的标准数据组;所述电压源模块用于输出正向和反向的直流电压至SD器件两端,输入正向直流电压时按第一增幅梯次递增,输入反向直流电压时按第二增幅梯次递增,所述第一增幅小于第二增幅,所述标准增幅小于等于所述第一增幅;所述测试模块用于导通SD器件两端,测试SD器件两端的电流值,形成电压值与电流值的检测数据组,并将该检测数据组发送至数据处理模块;所述数据处理模块将检测数据组与标准数据组进行数据比对;所述输出模块用于输出检测结果。2.根据权利要求1所述的检测系统,其特征在于,所述正向直流电压值范围为0

0.5V,所述第一增幅为0.05

0.1V。3.根据权利要求1或2所述的检测系统,其特征在于,所述反向直流电压值范围为0

40V,所述第二增幅为1.5

2.5V。4.根据权利要求3所述的检测系统,其特征在于,所述数据比对的规则包括:SD器件两端输入正向直流电压时,电流检测结果大于该正向直流电压下标准数据组中的电流值,否则为不合格;SD器件两端输入反向直流电压时,电流检测结果小于该反向直流电压下标准数据组中的电流值判定为合格,否则为不合格。5....

【专利技术属性】
技术研发人员:黄平洋田野张丽霞巫帮锡曾小马
申请(专利权)人:深圳同兴达科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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