【技术实现步骤摘要】
一种半导体外延片生长设备
[0001]本技术涉及半导体外延片生产领域，特别涉及一种半导体外延片生长设备。
技术介绍
[0002]外延片制作方法：通过化学气相沉积的方式在抛光面上生长一层或多层掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新硅单晶层。
[0003]外延片的优点：外延技术可以减少硅片中因单晶生长产生的缺陷，具有更低的缺陷密度和氧含量,提高了栅氧化层的完整性，并改善了沟道中的漏电现象，从而提升了集成电路的可靠性。
[0004]例如，现有6英寸外延片的生产技术中，一次性仅能生产2层共计14个外延片。为了在保证生产质量的前提下提高产能，本领域的技术人员也做了大量研究。然而，目前还没有一种设备可以突破一次性14片的生产效率瓶颈。
技术实现思路
[0005]为了解决上述技术问题，本技术中披露了一种半导体外延片生长设备，本技术的技术方案是这样实施的：
[0006]一种半导体外延片生长设备，包括基座、射频电磁线圈、钟罩、侧隔板条、顶盘和垫片。其中，所述基座有三层硅片位；所述射频电磁...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体外延片生长设备，其特征在于：包括基座、射频电磁线圈、钟罩、侧隔板条、顶盘和垫片；其中，所述基座有三层硅片位；所述射频电磁线圈包括12环铜线圈；所述顶盘直径为5cm
‑
50cm；所述垫片高度为2cm
‑
9cm；所述侧隔板条为两部分：所述侧隔板条上半部分的上边缘略高于第一层硅片位上缘，所述侧隔板条上半部分下边缘略高于第二层硅片位的中段；所述侧隔板条下半部分的上边缘略低于第三层硅片位的上缘，所述侧隔板条下半部分的下边缘略高于第三层硅片位的下缘；所述射频电磁线圈位于所述钟罩外部并环绕所述基座；所述垫片连接所述基座和所述顶盘。2.根据权利要求1所述的一种半导体外延片生长设备，其特征在于：所述钟罩外设置有反...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑国，
申请(专利权)人：上海衍梓智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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