【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体加工，特别是涉及一种反应腔开合控制装置。
技术介绍
1、半导体晶圆通过晶圆承载台放置在反应腔内进行如刻蚀、薄膜沉积等表面处理中，具体使用时，反应腔打开，在装载位置将晶圆放置好后，向上运动，只有确保上升到预定位置（即反应腔完全闭合呈密封状态）后才能启动后续的处理，但是如何确定已上升到预定位置还是一个待解决的关键问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种反应腔开合控制装置来在确定底盘到达预定位置后，才启动半导体晶圆后续的表面处理，确保操作的安全性。
2、一种反应腔开合控制装置，半导体处理设备包括反应腔体、用于封闭所述反应腔体进出料口的底盘、以及用于驱动所述底盘的升降机构；
3、所述开合控制装置包括：
4、填充于反应腔体和底盘之间的密封圈；
5、压力传感器，其嵌装在所述密封圈内；以及
6、三组位置检测开关，其用于检测所述底盘的位置。
7、在其中一个实施例中，所述密封圈包覆固...
【技术保护点】
1.一种反应腔开合控制装置，半导体处理设备包括反应腔体（1）、用于封闭所述反应腔体（1）进出料口的底盘（2）、以及用于驱动所述底盘（2）的升降机构；
2.根据权利要求1所述的一种反应腔开合控制装置，其特征在于，所述密封圈（4）包覆固定在反应腔体（1）上，所述压力传感器（5）检测端面向底盘（2）设置。
3.根据权利要求2所述的一种反应腔开合控制装置，其特征在于，当底盘（2）位于预定位置时，压力传感器（5）检测端和底盘（2）相抵持。
4.根据权利要求1所述的一种反应腔开合控制装置，其特征在于，三组位置检测开关之间装设有支架，三组位置检测...
【技术特征摘要】
1.一种反应腔开合控制装置，半导体处理设备包括反应腔体（1）、用于封闭所述反应腔体（1）进出料口的底盘（2）、以及用于驱动所述底盘（2）的升降机构；
2.根据权利要求1所述的一种反应腔开合控制装置，其特征在于，所述密封圈（4）包覆固定在反应腔体（1）上，所述压力传感器（5）检测端面向底盘（2）设置。
3.根据权利要求2所述的一种反应腔开合控制装置，其特征在于，当底盘（2）位于预定位置时，压力传感器（5）检测端和底盘（2）相抵持。
4.根据权利要求1所述的一种反应腔开合控制装置，其特征在于，三组位置检测开关之间装设有支...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑国，王善奇，
申请(专利权)人：上海衍梓智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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