半导体装置的制造方法以及半导体制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供半导体装置的制造方法以及半导体制造装置。通过一个实施方式，提供半导体装置的制造方法。制造方法包括将基板粘贴于片材。制造方法包括对基板进行分割而单片化为多个芯片。制造方法包括扩展片材而扩大多个芯片的间隔。制造方法包括将多个芯片各自的主面及侧面用树脂覆盖并密封而形成密封体。制造方法包括形成层叠有多个密封体而成的层叠体。多个密封体包括第一密封体及第二密封体。形成层叠体包括：在第二密封体中的芯片的位置相对于第一密封体中的芯片的位置在平面方向上偏移的状态下，将第二密封体层叠于第一密封体之上。将第二密封体层叠于第一密封体之上。将第二密封体层叠于第一密封体之上。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法以及半导体制造装置
[0001]相关申请的引用
[0002]本申请以由2020年9月14日申请的在先的日本国专利申请第2020
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154079带来的优先权的利益为基础，并且要求该优先权的利益，在先申请的内容整体通过引用而包含于此。


[0003]本实施方式涉及半导体装置的制造方法以及半导体制造装置。

技术介绍

[0004]在将基板粘贴于片材、对基板进行分割而单片化为多个芯片、并将单片化后的芯片密封而制造半导体装置的工序中，期望提高生产率。

技术实现思路

[0005]一个实施方式的目的在于提供一种能够提高生产率的半导体装置的制造方法以及半导体制造装置。
[0006]根据一个实施方式，提供一种半导体装置的制造方法。制造方法包括将基板粘贴于片材。制造方法包括对基板进行分割而单片化为多个芯片。制造方法包括扩展片材而扩大多个芯片的间隔。制造方法包括将多个芯片各自的主面及侧面用树脂覆盖并密封而形成密封体。制造方法包括形成层叠有多个密封体而成的层叠体。多个密封体包括第一密封体及第二密本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，具备如下工序：将基板粘贴于片材；对所述基板进行分割而单片化为多个芯片；扩展所述片材以扩大所述多个芯片的间隔；用绝缘膜覆盖所述多个芯片各自的主面及侧面而形成密封体；以及形成层叠有多个所述密封体而成的层叠体，所述多个密封体包括第一密封体及第二密封体，形成所述层叠体的工序包括如下工序：在所述第二密封体中的芯片的位置相对于所述第一密封体中的芯片的位置在平面方向上偏移的状态下，将所述第二密封体层叠于所述第一密封体之上。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述偏移的量比所述第一密封体中的芯片的间隔小且比芯片中的焊盘的尺寸大。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，扩大所述多个芯片的间隔的工序包括如下工序：计测所述片材中的所述芯片的位置，根据计测结果扩展所述片材，使所述多个芯片的间隔向目标间隔扩大。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，还包括将所述密封体从所述片材转印于第一支承体的工序，形成所述层叠体的工序包括将被转印于所述第一支承体的所述第二密封体层叠于所述第一密封体之上的工序，所述半导体装置的制造方法还包括如下工序：将所述层叠体从所述第一支承体转印于与所述第一支承体相比刚性更大的第二支承体；以及形成布线结构，该布线结构在所述层叠体被所述第二支承体支承的状态下与所述多个密封体中的芯片电连接。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，形成所述密封体的工序包括用树脂覆盖所述多个芯片各自的背面及侧面而进行密封的工序，所述半导体装置的制造方法还包括将所述密封体从所述片材转印于第一支承体的工序，所述层叠的工序包括在被转印的所述密封体被所述第一支承体支承的状态下形成所述层叠体的工序，所述半导体装置的制造方法还包括如下工序：形成布线结构的工序，该布线结构在所述层叠体被所述第一支承体...

【专利技术属性】
技术研发人员：志摩真也，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：