平面型VDMOS器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种平面型VDMOS器件及其制备方法。该平面型VDMOS器件包括衬底层、层叠设置于衬底层上的外延层、层叠设置于外延层上的图案化的第一栅介质层、层叠设置于第一栅介质层上的栅极、以及设置于外延层中的体区、设置于体区中的源区、接触体和深体区；其中，体区的上表面自外延层的上表面暴露，源区的上表面与接触体的上表面自体区的上表面暴露，接触体紧靠源区侧边设置，深体区设置于源区与接触体下方，且紧靠源区与接触体。该平面型VDMOS器件的深体区设置于源区与接触体下方，其中的掺杂原子能够由具有多晶硅接触体经热驱入工艺扩散得到，有效避免了在深体区的制作过程中受到注入能量以及注入剂量的限制。到注入能量以及注入剂量的限制。到注入能量以及注入剂量的限制。

【技术实现步骤摘要】
平面型VDMOS器件


[0001]本技术涉及半导体
，特别是涉及一种平面型VDMOS器件。

技术介绍

[0002]垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管(Vertical Double Diffusion Metal OxideSemiconductor，简称VDMOS)是通过源区和体区离子注入的纵向扩散距离差来形成沟道。VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点。与双极晶体管相比，它具有开关速度快、开关损耗小、输入阻抗高，驱动功率小；频率特性好、跨导高度线性等优点，广泛应用于电机调速、逆变器、开关电源等设备中。
[0003]对于平面型VDMOS器件，存在一个非常重要的参数，即单脉冲雪崩能量 (E
AS
)，定义为单次雪崩状态下器件能够消耗的最大能量。在源极和漏极会产生较大电压尖峰的应用环境下，必须要考虑器件的雪崩能量。E
AS
能力也是衡量 VDMOS器件性能的一个重要标准。
[0004]传统的VDMOS器件中都包括外延层以及在外延层上制备的源区和体区，外延层及源区和体区可本征等效为一个三极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种平面型VDMOS器件，其特征在于，包括衬底、外延层、第一栅介质层、栅极、体区、源区、接触体和深体区；所述外延层层叠设置于所述衬底上，所述第一栅介质间隔所述外延层与所述栅极，所述体区设置于所述外延层中，所述源区、所述深体区与所述接触体均设置于所述体区中；其中，所述体区的上表面从所述外延层中露出，所述源区与所述接触体从所述体区中露出，所述接触体接触所述源区侧边设置，所述深体区设置于所述源区与所述接触体下方，包裹所述接触体并与所述接触体和所述源区接触；所述源区、所述接触体、所述体区与所述深体区均为掺杂半导体，所述源区中的掺杂类型为第一掺杂类型，所述接触体为多晶硅接触体且其掺杂类型为与所述第一掺杂类型不同的第二掺杂类型，所述体区和所述深体区的掺杂类型均为第二掺杂类型，所述接触体与所述深体区中的掺杂浓度均高于所述体区。2.根据权利要求1所述的平面型VDMOS器件，其特征在于，所述接触体嵌入所述体区的深度大于所述源区嵌入所述体区的深度。3.根据权利要求2所述的平面型VDMOS器件，其特征在于，所述接触体嵌入所述体区的...

【专利技术属性】
技术研发人员：马万里，
申请(专利权)人：深圳市昭矽微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：