本实用新型公开了一种平面型VDMOS器件及其制备方法。该平面型VDMOS器件包括衬底层、层叠设置于衬底层上的外延层、层叠设置于外延层上的图案化的第一栅介质层、层叠设置于第一栅介质层上的栅极、以及设置于外延层中的体区、设置于体区中的源区、...

本实用新型公开了一种沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制备方法。该晶体管包括衬底层、外延层、体区、第一栅介质层、栅极和源区；外延层层叠设置于衬底层上，体区层叠设置于外延层上，外延层和体区中开设有沟槽，沟槽的开口位于外延层的上表面...

本发明公开了一种平面型VDMOS器件及其制备方法。该平面型VDMOS器件包括衬底层、层叠设置于衬底层上的外延层、层叠设置于外延层上的图案化的第一栅介质层、层叠设置于第一栅介质层上的栅极、以及设置于外延层中的体区、设置于体区中的源区、接触...

本发明公开了一种沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制备方法。该晶体管包括衬底、外延层、体区、第一栅介质层、栅极和源区；外延层层叠设置于衬底上，体区层叠设置于外延层上，外延层和体区中开设有沟槽，沟槽的开口位于外延层的上表面、槽底位...

本发明公开了一种双极晶体管及其制备方法，其包括衬底层、层叠设置于衬底层上的第一外延层、层叠设置于第一外延层上的第二外延层、接触第二外延层设置的第三外延层、以及贯穿第二外延层并嵌入第一外延层中的第四外延层，第三外延层与第四外延层间隔设置，...

本发明涉及一种MOSFET芯片，包括：MOSFET芯片本体，MOSFET芯片本体上包括栅极焊盘、源极焊盘和漏极焊盘，且栅极焊盘、源极焊盘和漏极焊盘中的至少一个包括多个焊盘单元。上述MOSFET芯片，栅极焊盘、源极焊盘和漏极焊盘中的至少一...

本发明涉及一种图形结构及其形成方法，图形结构的形成方法包括：提供材料层；于材料层的上表面形成掺杂材料层，掺杂材料层的掺杂浓度由下到上逐渐变化；采用湿法刻蚀工艺于掺杂材料层内形成开口，以形成图形结构，开口显露材料层。上述图形结构的形成方法...

本发明涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法，在N型基底上形成多个沟槽，进行P型离子的注入，在形成从沟槽的内壁向N型基底内部延伸的P+区，大大扩展了P+区的范围和深度，从而能够提高金属氧化物半导体场效应晶体管的EAS参数。

本发明涉及一种金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法，在N型基底的一侧设有间隔设置在第一沟槽和第二沟槽，栅氧化层覆盖N型基底及各沟槽的内壁，多晶硅层覆盖栅氧化层的位于第一沟槽和第二沟槽之间的部分，并且填充第一沟槽和第二沟槽。进行P型离...