氮化物基半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层和第二氮化物基半导体层、掺杂III

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氮化物基半导体装置及其制造方法


[0001]本专利技术总体上涉及一种氮化物基半导体装置。更确切地说，本专利技术涉及一种具有掺杂III
‑
V半导体层的氮化物基半导体装置，所述掺杂III
‑
V半导体层具有弯曲轮廓。

技术介绍

[0002]近年来，关于高电子迁移率晶体管(HHMT)的深入研究已经非常普遍，尤其是对于高功率切换和高频率应用。III族氮化物基HEMT利用具有不同带隙的两种材料之间的异质结界面来形成量子阱类结构，所述量子阱类结构容纳二维电子气体(2DEG)区，从而满足高功率/频率装置的需求。除了HEMT之外，具有异质结构的装置的实例进一步包含异质结双极晶体管(HBT)、异质结场效应晶体管(HFET)和调制掺杂FET(MODFET)。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一个方面，提供一种氮化物基半导体装置。氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、掺杂III
‑
V半导体层、栅极电极、源极电极和漏极电极。第二氮化物基半导体层安置于第一氮化物基半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氮化物基半导体装置，其特征在于，包括：第一氮化物基半导体层；第二氮化物基半导体层，其安置于所述第一氮化物基半导体层上，且所述第二氮化物基半导体层的带隙大于所述第一氮化物基半导体层的带隙；掺杂III
‑
V半导体层，其安置于所述第二氮化物基半导体层之上，且具有相对的第一侧壁，所述第一侧壁朝向所述掺杂III
‑
V半导体层的在所述第一侧壁之间的主体向内凹陷，以形成位于所述掺杂III
‑
V半导体层的底部处的弯曲轮廓；栅极电极，其安置于所述掺杂III
‑
V半导体层上方；以及源极电极和漏极电极，其安置于所述第二氮化物基半导体层上方，其中所述栅极电极位于所述源极电极与所述漏极电极之间。2.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述掺杂III
‑
V半导体层在所述弯曲轮廓上具有直线轮廓。3.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述掺杂III
‑
V半导体层的凹陷的第一侧壁连接到所述第二氮化物基半导体层。4.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述掺杂III
‑
V半导体层进一步具有分别位于所述第一侧壁上且连接到所述第一侧壁的相对的第二侧壁，且所述第一侧壁之间的距离小于所述第二侧壁之间的距离。5.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第一侧壁比所述第二侧壁更弯曲。6.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述掺杂III
‑
V半导体层进一步具有分别位于所述第一侧壁之上的相对的第二侧壁，且所述第一侧壁之间的距离大于所述第二侧壁之间的距离。7.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述掺杂III
‑
V半导体层进一步具有将所述第一侧壁连接到所述第二侧壁的相对的水平表面。8.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第一侧壁之间的最短距离小于所述掺杂III
‑
V半导体层的底部表面的宽度。9.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第二氮化物基半导体层具有与所述掺杂III
‑
V半导体层接触的第一区和不在所述掺杂III
‑
V半导体层的覆盖范围之内的第二区，且所述第一区和所述第二区具有不同表面粗糙度。10.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第一侧壁具有不同凹陷深度。11.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，进一步包括安置于所述第二氮化物基半导体层上方且填充到所述凹陷的第一侧壁中的钝化层。12.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述栅极电极位于所述钝化层之上。13.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述栅极电极沿着所述钝化层的侧表面延伸以与所述掺杂III
‑
V半导体层接触。14.根据前述权利要求中任一项所述的氮化物基半导体装置，其特征在于，所述第一侧壁关于所述掺杂III
‑
V半导体层的所述主体不对称。
15.根据前述权利要求中任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：何川，蒲小庆，郝荣晖，章晋汉，黃敬源，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：