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本实用新型公开了一种平面型VDMOS器件及其制备方法。该平面型VDMOS器件包括衬底层、层叠设置于衬底层上的外延层、层叠设置于外延层上的图案化的第一栅介质层、层叠设置于第一栅介质层上的栅极、以及设置于外延层中的体区、设置于体区中的源区、接触...
该专利属于深圳市昭矽微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市昭矽微电子科技有限公司授权不得商用。

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