三维存储装置及其制造方法制造方法及图纸

提供了三维(3D)NAND存储装置和方法。在一个方面中，一种制造方法包括形成层堆叠体、沟道孔、阻挡层、电荷陷阱层、隧道绝缘层和沟道层。电荷陷阱层的表面区域包括碳区域，所述碳区域包括特定量的碳元素。区域包括特定量的碳元素。区域包括特定量的碳元素。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】三维存储装置及其制造方法


[0001]本申请涉及半导体
，并且具体而言，涉及三维(3D)存储装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]非与(NAND)存储器是一种非易失性存储器，其不需要电源即可保留存储的数据。消费电子产品、云计算和大数据需求的不断增长带来了对更大容量和更好性能的NAND存储器的持续需求。随着常规二维(2D)NAND存储器接近其物理极限，三维(3D)NAND存储器现在正在发挥重要作用。3D NAND存储器在单个管芯上使用多个堆叠层，以实现更高的密度、更高的容量、更快的性能、更低的功耗和更好的成本效率。
[0003]3D NAND装置的存储单元包括沉积在电荷陷阱层上的隧道绝缘层。在沉积工艺期间，通常在隧道绝缘层和电荷陷阱层之间的界面中形成一些缺陷，并且随后的退火工艺可能在界面中产生更多的缺陷。这些缺陷影响3DNAND装置的可靠性，例如耐久性和电荷保持特性。

技术实现思路

[0004]在本公开的一个方面中，一种用于制造3D存储装置的方法包括：为3D存储装置提供衬底，在衬底的顶表面之上形成层堆叠体，形成延本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于制造三维(3D)存储装置的方法，包括：提供衬底；在所述衬底的顶表面之上形成层堆叠体；形成沟道孔，所述沟道孔延伸穿过所述层堆叠体；在所述沟道孔的侧壁上形成阻挡层；在所述阻挡层的表面上形成电荷陷阱层，所述电荷陷阱层的表面区域包括碳区域，所述碳区域包括特定量的碳元素；在所述电荷陷阱层的所述表面区域之上形成隧道绝缘层；以及在所述隧道绝缘层的表面上形成沟道层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述电荷陷阱层包括：在预定温度下形成所述碳区域。3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述碳区域包括：在包括碳物质和氮物质的环境中，将所述电荷陷阱层的一部分转化成所述碳区域。4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述电荷陷阱层的所述表面区域之上形成所述隧道绝缘层包括：在所述碳区域和所述隧道绝缘层之间形成界面。5.根据权利要求1所述的方法，其中：所述碳区域相对于所述阻挡层靠近所述隧道绝缘层。6.根据权利要求1所述的方法，其中：所述电荷陷阱层包括氮化硅，并且所述碳区域包括氮化硅和碳元素。7.根据权利要求1所述的方法，其中：所述阻挡层包括氧化硅。8.根据权利要求1所述的方法，其中：所述隧道绝缘层包括氧化硅。9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述电荷陷阱层包括：在所述阻挡层的所述表面上连续形成多个层。10.根据权利要求1所述的方法，其中：所述层堆叠体包括交替堆叠的导体层和电介质层。11.根据权利要求1所述的方法，还包括：穿过所述层堆叠体形成栅极线缝隙结构以将多个存储单元分离。12.根据权利要求1所述的方法，还包括：修整所述层堆叠体以形成阶梯结构。13.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述沟道层之后，用电介质材料填充所述沟道孔。14.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述衬底和所述层堆叠体之间形成半导体层并将所述半导体层连接到所述沟道层。15.一种三维(3D)存储装置，包括：衬底；层堆叠体，形成在所述衬底之上；
沟道层，延伸穿过所述层堆叠体；以及功能层，延伸穿过所述层堆叠体并形成在所述沟道层和所述层堆叠体之间，所述功能层包括阻挡层、电荷陷阱层和隧道绝缘层，所述电荷陷阱层包括碳区域，所述碳区域包括特定量的碳元素。16.根据权利要求15所述的3D存储装置，还包括：处于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王启光，蒲浩，李拓，赵英杰，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：