一种承载装置及扩散设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种承载装置及扩散设备，涉及硅片加工技术领域，以提高扩散效果、方阻均匀性以及产能。所述承载装置包括托架，所述托架具有沿第一方向延伸的承托空间。多个承载结构，多个所述承载结构沿所述第一方向间隔承托在所述承托空间内。每一所述承载结构均沿第二方向承载多组所述硅片；所述第二方向与所述第一方向垂直。相邻组所述硅片之间具有用于流通气体的通道；所述气体沿所述第一方向流经所述通道。本实用新型专利技术还提供一种应用上述承载装置的扩散设备。置的扩散设备。置的扩散设备。

【技术实现步骤摘要】
一种承载装置及扩散设备


[0001]本技术涉及硅片加工
，尤其涉及一种承载装置及扩散设备。

技术介绍

[0002]目前，制造电池片过程中，需要用石英舟承载多个硅片进入扩散炉内形成P
‑
N结。而石英舟的结构和稳定性直接影响硅片的制程效果和产量。
[0003]现有技术中，扩散炉的扩散腔沿水平方向延伸，扩散炉的两端分别具有进气口和出气口。硅片竖直固定在石英舟上，并且多个硅片沿水平方向分布在石英舟内部。
[0004]在硅片上扩散形成P
‑
N结时，石英舟承载多个硅片位于扩散腔内，气体从进气口进入扩散腔，并向出气口一端移动。气体移动过程中，与硅片接触反应后，在硅片上形成P
‑
N结。
[0005]但是，气体在扩散炉内整体沿水平方向移动，而硅片竖直设在石英舟内，且硅片沿水平方向分布。基于此，气体在向出气口移动过程中，靠近进气口一端的硅片会将气体阻挡，使得远离进气口一端的硅片不容易与气体接触，导致扩散效果差、方阻均匀性差以及产能较低。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提供一种承载装置及扩散设备，以提高扩散效果、方阻均匀性以及产能。
[0007]第一方面，本技术提供一种承载装置，用于承载硅片。该硅片承载装置包括：
[0008]托架，所述托架具有沿第一方向延伸的承托空间；
[0009]多个承载结构，多个所述承载结构沿所述第一方向间隔承托在所述承托空间内；每一所述承载结构均沿第二方向承载多组所述硅片；所述第二方向与所述第一方向垂直；相邻组所述硅片之间具有用于流通气体的通道；所述气体沿所述第一方向流经所述通道。
[0010]采用上述技术方案的情况下，将本技术提供的承载装置承载硅片，放入扩散炉所具有的炉体内，并向炉体内通入气体以在硅片上形成P
‑
N结时，可以沿第一方向向炉体内通入气体。气体在炉体内沿第一方向传送时，可以沿第一方向扩散至托架所具有的承托空间。由于多组硅片沿第二方向由承载结构承载，在第二方向与第一方向垂直的情况下，相邻的硅片之间可以形成用于流通气体的通道。即沿第一方向传送的气体可以顺利的流经上述通道。基于此，在气体的传输路径上，可以降低硅片对气体的阻挡，以提高气体与硅片接触的充分性。从而优化扩散效果、方阻均匀性以及提高产能。
[0011]在一种可能的实现方式中，托架包括：
[0012]至少两个挡板，至少两个挡板沿第一方向间隔分布；
[0013]至少两个挡杆，至少两个挡杆间隔分布，且每一挡杆的两端均分别与挡板紧固连接；由挡板和挡杆围合形成承托空间。
[0014]采用上述技术方案的情况下，由挡板和挡杆构成框式托架，框内为承托空间，实现
对承载装置的承托外，还可以减小对气体的阻挡，从而确保气体顺利进入通道，以优化气体扩散效果。
[0015]在一种可能的实现方式中，每一挡杆均具有承载面，每一承载面上均间隔开设有安装槽；
[0016]每一承载结构均具有限位部，限位部卡装在安装槽内。
[0017]采用上述技术方案的情况下，在实际应用中，在承载装置放入扩散炉所具有的炉体之前，可以将每一承载结构所具有的限位部卡装在安装槽内，利用安装槽和限位部实现承载结构在托架上的固定。当搬动承载装置以将其送入炉体时，可以降低承载结构相对于托架的晃动。基于此，可以确保承载结构承载的硅片在转移过程中的稳定性。在降低硅片因晃动而发生隐裂风险的情况下，可以提高硅片在扩散工序的良率。
[0018]在一种可能的实现方式中，每一承载结构均为镂空式承载框。采用镂空式承载框承载硅片，在实际应用中，气体可以顺利的流通承载框所具有的镂空部，以减小对气体的阻挡，从而确保气体顺利进入通道，以优化气体扩散效果。
[0019]在一种可能的实现方式中，每一所述承载结构均包括：
[0020]至少两个承载板，至少两个承载板沿第二方向间隔设置；
[0021]至少两个承载杆，至少两个承载杆沿承载板的周向紧固连接在承载板上；由承载板和承载杆构成承载硅片的承载空间；每一承载杆的内侧面沿第二方向均间隔开设多个凹槽；硅片的边缘卡装在凹槽内。
[0022]在一种可能的实现方式中，每一凹槽所具有的侧壁均向靠近硅片上表面的方向倾斜。
[0023]在一种可能的实现方式中，侧壁与侧壁承载的硅片之间具有夹角α，1
°
≤α＜3
°
。
[0024]采用上述技术方案的情况下，经专利技术人研究，α越小，侧壁与硅片的接触面积越大，越影响扩散效果，并且增加侧壁与硅片之间的磨损。而α越大，位于凹槽内的硅片越不稳定，并且侧壁的强度越小。而1
°
≤α＜3
°
，即可以减小侧壁与硅片的接触面积，提高扩散效果，还可以减少侧壁与硅片之间的磨损。另外，还可以使得卡装在凹槽内硅片的稳定性，提高侧壁的强度。
[0025]在一种可能的实现方式中，侧壁自凹槽的槽底向槽口的延伸长度为4.1mm～4.5mm。
[0026]在一种可能的实现方式中，侧壁靠近槽口的一端具有圆弧倒角，圆弧倒角的半径为0.22mm～0.27mm。可有效减少硅片的边缘划伤。
[0027]在一种可能的实现方式中，凹槽所具有的宽度为0.7mm～0.9mm。
[0028]采用上述技术方案的情况下，经专利技术人研究，凹槽所具有的宽度越大，相同规格的承载结构的载片量越小。而凹槽所具有的宽度越小，气体扩散均匀性越差。将凹槽所具有的宽度设计为0.7mm～0.9mm，即可以提高载片量，又可以满足气体扩散均匀性。
[0029]在一种可能的实现方式中，凹槽的内壁具有磨砂层。磨砂层可有效避免承载结构的磨损和清洗过程中溶液的腐蚀，提高承载结构的使用寿命。
[0030]第二方面，本技术还提供一种扩散设备，包括：
[0031]扩散炉，所述扩散炉包括炉体，所述炉体具有相对的入口和出口；
[0032]气体供应装置，气体供应装置通过入口向炉体内供应气体，流经炉体内的气体从
出口处流出炉体。
[0033]承载装置，所述硅片承载装置沿所述入口至出口的方向容纳在所述炉体内；所述承载装置为第一方面或第一方面任一可能的实现方式描述的承载装置。
[0034]第二方面提供的扩散设备的有益效果与第一方面或第一方面任一可能的实现方式所描述的承载装置的有益效果相同，此处不做赘述。
附图说明
[0035]此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
[0036]图1为本技术实施例提供的硅片承载装置的示意图；
[0037]图2为本技术实施例提供的托架的示意图；
[0038]图3为本技术实施例提供的硅片承载结构的示意图；
[0039]图4为本技术实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种承载装置，用于承载硅片，其特征在于，包括：托架，所述托架具有沿第一方向延伸的承托空间；多个承载结构，多个所述承载结构沿所述第一方向间隔承托在所述承托空间内；每一所述承载结构均沿第二方向承载多组所述硅片；所述第二方向与所述第一方向垂直；相邻组所述硅片之间具有用于流通气体的通道；所述气体沿所述第一方向流经所述通道。2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述托架包括：至少两个挡板，至少两个所述挡板沿所述第一方向间隔分布；至少两个挡杆，至少两个所述挡杆间隔分布，且每一所述挡杆的两端均分别与所述挡板紧固连接；由所述挡板和挡杆围合形成所述承托空间。3.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，每一所述挡杆均具有承载面，每一所述承载面上均间隔开设有安装槽；每一所述承载结构均具有限位部，所述限位部卡装在所述安装槽内。4.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，每一所述承载结构均为镂空式承载框。5.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，每一所述承载结构均包括：至少两个承载板，至少两个所述承载板沿所述第二方向间隔设置；至少两个承载杆，至少两个所述承载杆沿所述承载板的周向紧固连接在所述承载板上；由所述承载板和承载杆构成承载所述硅片的承载空间；每一所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘帅，李泽天，刘颜清，刘锦鹏，崔国庆，徐亚博，杨杰，曹全会，
申请(专利权)人：西安隆基乐叶光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：