一种提高AlGaN基DUV-LED光提取效率的结构及其应用制造技术

本发明专利技术属于光电子发光器件技术领域，具体涉及一种提高AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)光提取效率的结构及其应用。所述提高AlGaN基DUV

【技术实现步骤摘要】
一种提高AlGaN基DUV-LED光提取效率的结构及其应用


[0001]本专利技术属于光电子发光器件
，具体涉及一种提高AlGaN基DUV-LED光提取效率的结构及其应用。

技术介绍

[0002]AlGaN基固态深紫外(DUV)发光二极管(LED)由于在空气和水的净化、灭菌、紫外固化等方面的广泛应用而备受关注。与传统汞灯之类的气体DUV光源相比，AlGaN基DUV-LED具有体积小、功率大、能耗低、环境友好等优点，因此是一种很有前途的DUV光源。
[0003]尽管AlGaN基DUV-LED的研究取得了很大的进步，但与GaN基可见光LED相比，AlGaN基DUV-LED的外量子效率(EQE)仍然保持在较低水平，其中一个非常重要的原因是其光提取效率(LEE)非常低，进而严重阻碍了外量子效率EQE的提高。而阻碍光提取效率LEE提高的主要因素是光学偏振特性、界面处的全反射、以及p-GaN层对DUV光的强吸收，但这些是很难避免的。
[0004]为了提高光提取效率LEE，许多研究人员做出了各种努力。例如，使用AlN-δ-GaN量子阱来本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高AlGaN基DUV-LED光提取效率的结构，其特征在于，p型层由p-AlGaN层及p-GaN层组成；所述p-AlGaN层具有超晶格结构；所述p-GaN层的厚度控制在2-10nm之间。2.根据权利要求1所述的提高AlGaN基DUV-LED光提取效率的结构，其特征在于，所述p-GaN层的厚度控制在5-7nm之间。3.根据权利要求1或2所述的提高AlGaN基DUV-LED光提取效率的结构，其特征在于，所述提高AlGaN基DUV-LED光提取效率的结构还包括p型欧姆接触金属，所述p型欧姆接触金属为Ag纳米点/Al的复合金属。4.根据权利要求3所述的提高AlGaN基DUV-LED光提取效率的结构，其特征在于，所述p型欧姆接触金属通过下述方法获得：先在所述p-GaN层表面沉积Ag金属层，通过退火形成Ag纳米点结构；再在Ag纳米点的表面沉积Al金属层。5.根据权利要求4所述的提高AlGaN基DUV-LED光提取效率的结构，其特征在于，所述Ag金属层的厚度为2-10nm，优选为4-6nm。6.根据权利要求5所述的提高AlGaN基DUV-LED光提取效率的结构，其特征在于，所述退火的条件为：N2氛围下，温度200-500℃；优选地，所述退火的温度为350...

【专利技术属性】
技术研发人员：许福军，沈波，张娜，王嘉铭，康香宁，秦志新，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：