一种P型半导体层生长方法、外延层、LED芯片及显示屏技术

本发明专利技术涉及一种P型半导体层生长方法、外延层、LED芯片及显示屏。外延层的P型半导体层中包括P型GaN层与第一P型InGaN层，在P型半导体层中引入In，可以降低P型半导体层与P电极之间的势垒，提升Mg掺杂浓度与活化效率，进而增加空穴浓度。同时，因为P型GaN层与第一P型InGaN层之间形成了异质结，而异质结的存在可以提升载流子的浓度，因此，上述外延层通过异质结与高掺杂可以增强P型半导体层的欧姆接触质量。基于该外延层制备的LED芯片与显示屏可靠性高。靠性高。靠性高。

【技术实现步骤摘要】
一种P型半导体层生长方法、外延层、LED芯片及显示屏


[0001]本专利技术涉及LED(Light
‑
Emitting Diode，发光二极管)
，尤其涉及一种P型半导体层生长方法、外延层、LED芯片及显示屏。

技术介绍

[0002]GaN(氮化镓)基材料作为第三代宽禁带半导体材料，具有很多优良的特性，如禁带宽度大、电子饱和速率高、击穿电场大、抗辐射能力强并且耐化学腐蚀，使它成为近年来化合物半导体的研究热点之一。而欧姆接触作为GaN器件制备的关键工艺，决定着器件的许多主要参数，如电流密度、外部增益、最高工作温度和大功率性能等。但GaN材料P型掺杂困难，因此导致P型半导体层的电导率低，体电阻较大，欧姆接触质量差。
[0003]因此，如何提升P型半导体层的欧姆接触质量是目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种P型半导体层生长方法、外延层、LED芯片及显示屏，旨在解决相关技术中P型半导体层体电阻大，欧姆接触质量差的问题。
>[0005]一种外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延层，其特征在于，包括：N型半导体层；P型半导体层；以及设置于所述N型半导体层与所述P型半导体层之间的有源层；其中，所述P型半导体层包括：P型GaN层；第一P型InGaN层；所述P型GaN层相较于所述第一P型InGaN层更靠近所述有源层。2.如权利要求1所述的外延层，其特征在于，所述P型半导体层还包括设置于所述P型GaN层与所述有源层之间的第二P型InGaN层。3.如权利要求1所述的外延层，其特征在于，所述N型半导体层包括应力调制层、N型GaN层及GaN本征层，且三者距离所述有源层的距离依次增大。4.如权利要求1
‑
3任一项所述的外延层，其特征在于，所述P型半导体层还包括设置于所述P型GaN层与所述有源层之间的超晶格结构层，所述超晶格结构层中包括n个超晶格结构子层，所述n为大于等于2的整数，所述超晶格结构子层中包括P型AlInGaN层与第三P型InGaN层。5.如权利要求4所述的外延层，其特征在于，所述外延层还包括设置于所述P型半导体层与所述有源层之间的电子阻挡层，所述电子阻挡层的材质为AlGaN；所述超晶格结构子层中所述P型AlInGaN层比所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海林，黄国栋，黄嘉宏，杨顺贵，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：