温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种P型半导体层生长方法、外延层、LED芯片及显示屏。外延层的P型半导体层中包括P型GaN层与第一P型InGaN层，在P型半导体层中引入In，可以降低P型半导体层与P电极之间的势垒，提升Mg掺杂浓度与活化效率，进而增加空穴浓度。同...
该专利属于重庆康佳光电技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆康佳光电技术研究院有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。