【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器及设备。
技术介绍
1、在摩尔定律不断深化的当下，继续推进晶体管尺寸微缩是当前业界研发的热点问题。堆叠晶体管通过将两层或多层晶体管在垂直空间内集成，实现进一步提升晶体管集成密度，成为延续集成电路尺寸微缩的重要技术之一。
2、其中，现有的(static random access memory，sram)单元都是基于单层晶体管制备的，并且由于sram单元中的元件较多，使得sram的体积较大。
技术实现思路
1、本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，以提高晶体管的集成密度。
2、第一方面，本申请实施例提供一种半导体结构的制备方法，上述方法包括：在衬底上形成第一半导体结构；第一半导体结构为双极型晶体管，第一半导体结构包括具有第一极性的第一晶体管和具有第二极性的第二晶体管，第一晶体管包括第一栅金属结构和第一源漏金属结构，第二晶体管包括第二栅金属结构和第二源漏金属结构，第一栅金属结...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成第一半导体结构，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一有源结构，形成所述第一半导体结构，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一介质层上形成第一耦合金属结构，包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述第一介质层上形成第一耦合金属结构之后，所述方法还包括：
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一半导体结构上形成浅槽
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在衬底上形成第一半导体结构，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一有源结构，形成所述第一半导体结构，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一介质层上形成第一耦合金属结构，包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述第一介质层上形成第一耦合金属结构之后，所述方法还包括：
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述第一半导体结构上形成浅槽隔离层，包括：
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述浅槽隔离层上形成第二半导体结构，包括：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在形成所述第三栅金属结构和所述第四栅金属结构之前，所述方法还包括：
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述第二介质层上形成第四耦合金属结构，包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，卢浩然，彭莞越，王润声，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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