一种深紫外外延片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种深紫外外延片及其制备方法，深紫外外延片包括P型氮化镓，P型氮化镓包括依次生长的P型铝镓氮层、氮化铝层、P掺杂氮化镓层和重掺杂P型铝镓氮层。其中，P型铝镓氮层可以有效减少深紫外光的吸收；氮化铝层在有效减少深紫外光吸收的基础上，可以有效减少量子阱能带弯曲，提高量子阱空穴的注入；P掺杂氮化镓层可以实现高掺杂，提高量子阱空穴的注入；重掺杂P型铝镓氮层，可以有效实现芯片工艺的欧姆接触，同时可以有效减少深紫外光吸收。因此结合P型氮化镓包含的四个结构层能够减少对深紫外光的吸收，提高深紫外LED的发光效率。提高深紫外LED的发光效率。提高深紫外LED的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种深紫外外延片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种深紫外外延片及其制备方法。

技术介绍

[0002]深紫外LED可以全面应用于杀毒、水净化和消菌等领域，特别是随着新冠病毒在全球的蔓延，人们越来越重视深紫外LED的应用，而且未来深紫外LED的市场需求越来越大，特别是可以取代目前使用的深紫外汞灯，从产品的环保性上对比，深紫外产品的研究及开发意义重大。
[0003]但是现有技术中的深紫外LED存在以下问题：
[0004]目前深紫外GaN基LED器件的P型掺杂是一个全球性的技术难点，特别是对于高Al组分的P型GaN，同时还存在P型GaN对深紫外光吸收严重的问题，造成深紫外LED发光效率低，无法广泛使用，为解决以上问题，近年来人们采用倒装结构来克服上述缺陷，但是又存在同样问题，N型层的AlGaN也不能实现高Al掺杂，也会对深紫外光产生吸收。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种深紫外外延片及其制备方法，能够减少对深紫外光的吸收，提高深紫外LED的发光效率。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深紫外外延片，其特征在于，包括在衬底上依次生长的氮化铝薄膜缓冲层、U型铝镓氮层、N型铝镓氮层、量子阱层和P型氮化镓层；所述P型氮化镓包括依次生长的P型铝镓氮层、氮化铝层、P掺杂氮化镓层和重掺杂P型铝镓氮层。2.根据权利要求1所述的一种深紫外外延片，其特征在于，所述P型铝镓氮层的厚度为20
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40nm，Mg掺杂浓度为1E20
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5E20 atoms/cm3。3.根据权利要求1所述的一种深紫外外延片，其特征在于，所述氮化铝层的厚度为5
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30nm。4.根据权利要求1所述的一种深紫外外延片，其特征在于，所述P掺杂氮化镓层的厚度为20
‑
40nm，Mg掺杂浓度为1E20
‑
5E20 atoms/cm3。5.根据权利要求1所述的一种深紫外外延片，其特征在于，所述重掺杂P型铝镓氮层的厚度为2
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30nm，Mg掺杂浓度为5E20
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10E20 atoms/cm3。6.一种深紫外外延片制备方法，其特征在于，包括步骤：在衬底上依次生长氮化铝薄膜缓冲层、U型铝镓氮层、N型铝镓氮层、量子阱层和P型氮化镓层，所述P型氮化镓包括依次生长的P型铝镓氮层、氮化铝层、P掺杂氮化镓层和重掺杂P型铝镓氮层。7.根据权利要求6所述的一种深紫外外延片制备方法，其特征在于，生长所述P型铝镓氮层包括：在金属有机物化学气相沉积设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：解向荣，吴永胜，刘恒山，马野，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：