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本发明属于光电子发光器件技术领域，具体涉及一种提高AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)光提取效率的结构及其应用。所述提高AlGaN基DUV
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该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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