湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法技术方案

本发明专利技术提供一种湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，涉及半导体集成电路制造技术。其中，湿法刻蚀控制系统包括：用于检测漏液收集槽中漏液的液位的液位检测单元、刻蚀剂喷射单元、清洗剂喷射单元、用于当漏液的液位大于第一预设值时，控制刻蚀剂喷射单元停止向晶圆表面喷射刻蚀剂，并控制清洗剂喷射单元向晶圆表面喷射清洗剂的控制单元。湿法刻蚀机包括湿法刻蚀控制系统。湿法刻蚀控制方法包括：检测漏液收集槽中漏液的液位；当漏液的液位大于第一预设值时，控制停止向晶圆喷射刻蚀剂，并控制向晶圆喷射清洗剂。本发明专利技术的湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法，可以提升晶圆刻蚀过程中成品的合格率。可以提升晶圆刻蚀过程中成品的合格率。可以提升晶圆刻蚀过程中成品的合格率。

【技术实现步骤摘要】
湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路制造技术，尤其涉及一种用于晶圆的湿法刻蚀控制系统、湿法刻蚀机和湿法刻蚀控制方法。

技术介绍

[0002]湿法刻蚀是用化学方法有选择地从晶圆表面去除不需要材料的制备方法，广泛应用在半导体制造行业中。湿法刻蚀包括批量式湿法刻蚀和单片式湿法刻蚀，批量式湿法刻蚀通常可以对多片晶圆进行刻蚀，单片式湿法刻蚀则一次仅对一片晶圆进行刻蚀，由于批量式湿法刻蚀制备的晶圆无法满足更小线宽的要求，例如22nm级别的要求，正在逐渐退出历史舞台，而单片式湿法刻蚀因可以满足更小线宽的要求，而逐渐成为主流的制造工艺。
[0003]相关技术中的一种单片式湿法刻蚀机，包括蚀刻室和废液收集系统。晶圆在蚀刻室内被刻蚀剂刻蚀，刻蚀晶圆后的刻蚀剂形成废液，废液通过废液收集系统收集。其中，当废液收集系统泄露废液的时候，单片式湿法刻蚀机会整机停机，防止强腐蚀性的废液一直泄露，提升单片式湿法刻蚀机的使用安全性。
[0004]然而，当单片式湿法刻蚀机由于废液泄露整机停止时，在晶圆表面上依旧粘附本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀控制系统，其特征在于，包括：液位检测单元、刻蚀剂喷射单元、清洗剂喷射单元、控制单元；所述液位检测单元，用于检测漏液收集槽中漏液的液位；所述刻蚀剂喷射单元，用于将刻蚀剂喷射在晶圆表面；所述清洗剂喷射单元，用于将清洗剂喷射在晶圆表面；所述控制单元，用于当所述液位检测单元检测的漏液的液位大于第一预设值时，控制所述刻蚀剂喷射单元停止向晶圆表面喷射刻蚀剂，并控制所述清洗剂喷射单元向晶圆表面喷射清洗剂。2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀控制系统，其特征在于，还包括：用于向晶圆表面吹风的供风单元；所述控制单元还用于：当所述清洗剂喷射单元停止喷射清洗剂时，控制所述供风单元向晶圆表面吹风。3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀控制系统，其特征在于，所述控制单元还用于：当所述液位检测单元检测的漏液的液位大于第二预设值时，控制湿法刻蚀机整机停机；其中，所述第二预设值大于所述第一预设值。4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀控制系统，其特征在于，还包括：报警单元，用于发出报警信号；所述控制单元还用于：当所述液位检测单元检测的漏液的液位大于第一预设值时，控制所述报警单元发出第一报警信号。5.根据权利要求4所述的湿法刻蚀控制系统，其特征在于，所述控制单元还用于：当所述液位检测单元检测的漏液的液位大于第二预设值时，控制所述报警单元发出第二报警信号。6.根据权利要求4所述的湿法刻蚀控制系统，其特征在于，所述报警信号为声音信号、光信号和图像信号中的一种或者多种。7.根据权利要求1-6任一项所述的湿法刻蚀控...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈信宏，黄焱誊，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：