提供了一种微发光器件和具有该微发光器件的显示装置。微发光器件包括设置在衬底上的第一类型半导体层、设置在第一类型半导体层上的超晶格层、设置在超晶格层的侧部上的电流阻挡层、设置在超晶格层和电流阻挡层上的有源层以及设置在有源层上的第二类型半导体层。以及设置在有源层上的第二类型半导体层。以及设置在有源层上的第二类型半导体层。
【技术实现步骤摘要】
微发光器件及具有微发光器件的显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于在2020年9月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
‑
2020
‑
0114854号并要求其优先权，通过引用将该韩国专利申请整体合并于此。
[0003]本公开的示例实施例涉及具有提高的发射(emission)效率的微发光器件以及具有该微发光器件的显示装置。
技术介绍
[0004]液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器等被广泛用于显示装置中。近来，已经利用通过使用微尺寸微发光二极管(LED)来制造高分辨率显示装置的技术。
[0005]关于微LED，随着芯片尺寸的减小，发射效率降低。此现象是由于在制造微LED尺寸的芯片时发生的侧壁蚀刻损伤而导致的。侧壁蚀刻损伤引起阻止电子
‑
空穴对正常地彼此键合(bonding)的不发射结合(combination)。
技术实现思路
[0006]一个或多个示例实施例提供了一种具有提高的发射效率的微发光器件。
[0007]一个或多个示例实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括具有提高的发射效率的微发光器件。
[0008]另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地从该描述中将是显而易见的，或者可以通过实践本公开的示例实施例而获知。
[0009]根据示例实施例的一方面，提供了一种微发光器件，其包括：衬底；设置在衬底上的第一类型半导体层；设置在第一类型半导体层上的超晶格层；设置在超晶格层的侧部的电流阻挡层；设置在超晶格层上的有源层；和设置在有源层上的第二类型半导体层。
[0010]电流阻挡层可以包括多孔层或空气层。
[0011]多孔层可以包括氮化镓。
[0012]电流阻挡层可包括：与超晶格层的侧部接触的多孔层；和设置在多孔层的侧部上的空气层。
[0013]电流阻挡层可以从超晶格层的侧部延伸到第一类型半导体层的侧部或第一类型半导体层的底部。
[0014]电流阻挡层可以从超晶格层的侧部延伸到有源层的侧部。
[0015]有源层可以进一步设置在电流阻挡层上。
[0016]电流阻挡层可以从超晶格层的侧部延伸到第一类型半导体层的侧部或第一类型半导体层的底部。
[0017]微发光器件可以进一步包括设置在有源层的侧壁、第二类型半导体层的侧壁和电流阻挡层的暴露表面上的保护层。
[0018]微发光器件可以进一步包括延伸穿过第二类型半导体层、有源层和电流阻挡层并进入第一类型半导体层的通孔。
[0019]电流阻挡层可以进一步沿着第一类型半导体层的通孔的周围设置。
[0020]微发光器件可以具有大约200μm或更小的直径。
[0021]超晶格层可以包括交替堆叠的InGaN层和GaN层。
[0022]根据示例实施例的一方面，提供了一种显示装置，包括：驱动电路衬底；和设置在驱动电路衬底上并电连接到驱动电路衬底的多个微发光器件，其中，多个微发光器件中的每个微发光器件包括：第一类型半导体层；设置在第一类型半导体层上的超晶格层；设置在超晶格层的侧部上的电流阻挡层；设置在超晶格层上的有源层；和设置在有源层上的第二类型半导体层。
[0023]电流阻挡层可以包括多孔层或空气层。
[0024]多孔层可以包括氮化镓。
[0025]电流阻挡层可以包括：与超晶格层的侧部接触的多孔层；和设置在多孔层的侧部上的空气层。
[0026]电流阻挡层可以从超晶格层的侧部延伸到第一类型半导体层的侧部或第一类型半导体层的底部。
[0027]电流阻挡层可以从超晶格层的侧部延伸到有源层的侧部。
[0028]电流阻挡层可以从超晶格层的侧部延伸到第一类型半导体层的侧部或第一类型半导体层的底部。
[0029]显示装置可以进一步包括在有源层的侧壁、第二类型半导体层的侧壁以及电流阻挡层的暴露表面上的保护层。
[0030]显示装置可以进一步包括通孔，该通孔延伸穿过第二类型半导体层、有源层和电流阻挡层并进入第一类型半导体层。
[0031]多个微发光器件中的每个微发光器件可以具有大约200μm或更小的直径。
[0032]超晶格层可以包括交替堆叠的InGaN层和GaN层。
[0033]显示装置可以进一步包括颜色转换层，该颜色转换层被配置为改变从多个微发光器件发射的光的颜色。
[0034]有源层可以进一步设置在电流阻挡层上。
[0035]根据示例实施例的一方面，提供了一种微发光器件，其包括：衬底；设置在衬底上的第一半导体层；设置在第一半导体层上的超晶格层；围绕超晶格层的至少一部分外围区域的高电阻层；设置在超晶格层上的有源层；以及设置在有源层上的第二半导体层，其中，高电阻层具有比超晶格层高的电阻。
[0036]根据示例实施例的一方面，提供了一种微发光器件，其包括：衬底；设置在衬底上的第一半导体层；设置在第一半导体层的第一表面的第一部分上的超晶格层；设置在第一半导体层的第一表面的第二部分上的高电阻层；设置在超晶格层上的有源层；以及设置在有源层上的第二半导体层，其中，高电阻层具有比超晶格层高的电阻。
附图说明
[0037]根据结合附图进行的以下描述，本公开的某些示例实施例的上述和其他方面、特
征和优点将变得更加明显，其中：
[0038]图1是根据示例实施例的微发光器件的示意性截面图；
[0039]图2示出了根据示例实施例的图1的修改的微发光器件；
[0040]图3示出了根据另一示例实施例的图1的另一修改的微发光器件；
[0041]图4是根据另一示例实施例的微发光器件的示意性截面图；
[0042]图5示出了根据示例实施例的图4的微发光器件的修改示例；
[0043]图6示出了根据示例实施例的图4的微发光器件的另一修改示例；
[0044]图7至11示出了根据示例实施例的微发光器件；
[0045]图12示出了根据示例实施例的其中图2的微发光器件还设置有保护层的示例；
[0046]图13示出了根据示例实施例的其中图8的微发光器件还设置有保护层的示例；
[0047]图14示出了根据示例实施例的其中图10的微发光器件还设置有保护层的示例；
[0048]图15是根据另一示例实施例的微发光器件的截面图；
[0049]图16示出了根据示例实施例的图15的微发光器件的修改示例；
[0050]图17是根据示例实施例的显示装置的平面图；
[0051]图18是沿着图17的线A
‑
A截取的截面图；
[0052]图19是根据另一示例实施例的显示装置的截面图；
[0053]图20示出了其中将根据示例实施例的显示装置应用于液晶显示装置的示例；
[0054]图21是根据示例实施例的电子装置的示意性框图；
[0055]图22示出本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种微发光器件，包括：衬底；设置在所述衬底上的第一类型半导体层；设置在所述第一类型半导体层上的超晶格层；设置在所述超晶格层的侧部的电流阻挡层；设置在所述超晶格层上的有源层；和设置在所述有源层上的第二类型半导体层。2.根据权利要求1所述的微发光器件，其中，所述电流阻挡层包括多孔层或空气层。3.根据权利要求2所述的微发光器件，其中，所述多孔层包括氮化镓。4.根据权利要求1所述的微发光器件，其中，所述电流阻挡层包括：与所述超晶格层的侧部接触的多孔层；和设置在所述多孔层的侧部上的空气层。5.根据权利要求1所述的微发光器件，其中，所述电流阻挡层从所述超晶格层的侧部延伸到所述第一类型半导体层的侧部或所述第一类型半导体层的底部。6.根据权利要求1所述的微发光器件，其中，所述电流阻挡层从所述超晶格层的侧部延伸到所述有源层的侧部。7.根据权利要求1所述的微发光器件，所述有源层还设置在所述电流阻挡层上。8.根据权利要求1所述的微发光器件，其中，所述电流阻挡层从所述超晶格层的侧部延伸到所述第一类型半导体层的侧部或所述第一类型半导体层的底部。9.根据权利要求1所述的微发光器件，还包括设置在所述有源层的侧壁、所述第二类型半导体层的侧壁以及所述电流阻挡层的暴露表面上的保护层。10.根据权利要求1所述的微发光器件，还包括通孔，所述通孔延伸穿过所述第二类型半导体层、所述有源层和所述电流阻挡层并进入所述第一类型半导体层。11.根据权利要求10所述的微发光器件，其中，所述电流阻挡层还沿着所述第一类型半导体层的所述通孔的周围设置。12.根据权利要求1所述的微发光器件，其中，所述微发光器件具有约200μm或更小的直径。13.根据权利要求1所述的微发光器件，其中，所述超晶格层包括交替堆叠的InGaN层和GaN层。14.一种显示装置，包括：驱动电路衬底；和多个微发光器件，所述多个微发光器件设置在所述驱动电路衬底上并电连接至所述驱动电路衬底，其中，所述多个微发光器件中的每个微发光器件包括：第一类型半导体层，设置在所述第一类型半导体层上的超晶格层，设置在所述超晶格层的侧部上的电流阻挡层，设置在所述超晶格层上的有源层，和设置在所述有源层上的第二类型半导体层。
15.根据权利要求14...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄京旭，黄俊式，洪硕佑，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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