发光二极管及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光二极管，其包括外延结构、透明电流扩展层、第一电极和第二电极，外延结构包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，透明电流扩展层位于第二半导体层上，第一电极和第二电极分别电连接第一半导体层和透明电流扩展层，其中，透明电流扩展层包括依次层叠的第二透明电流扩展层和第一透明电流扩展层，第一透明电流扩展层中掺杂Al金属。借此设置，可有效提升发光二极管的静电防护能力，使得发光二极管具有高抗ESD能力。使得发光二极管具有高抗ESD能力。使得发光二极管具有高抗ESD能力。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及发光装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种发光二极管及发光装置。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)为半导体发光元件，通常是由如GaN、GaAs、GaP、GaAsP等半导体制成，其核心是具有发光特性的PN结，在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区，进入对方区域的少数载流子一部分与多数载流子复合而发光。LED具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。值得注意的是，虽然发光二极管具有上述众多优点，但是现有的发光二极管常因静电释放(Electro
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Static Discharge，ESD)造成损坏。因此，如何避免发光二极管因ESD而损坏已然成为本领域亟待解决的技术难题之一。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种发光二极管，其包括外延结构、透明电流扩展层、第一电极以及第二电极。
[0004]外延结构包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，发光层位于第一半导体层和第二半导体层之间。透明电流扩展层位于第二半导体层上。第一电极位于外延结构上，并电连接第一半导体层。第二电极位于透明电流扩展层上。其中，透明电流扩展层包括第一透明电流扩展层和第二透明电流扩展层，第一透明电流扩展层的两侧分别连接于第二电极和第二透明电流扩展层，第二透明电流扩展层远离第一透明电流扩展层的一侧连接于第二半导体层，第一透明电流扩展层中掺杂Al金属。
[0005]在一实施例中，所述透明电流扩展层的材料包括氧化铟锡。
[0006]在一实施例中，所述透明电流扩展层的厚度范围为20
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150nm。
[0007]在一实施例中，所述第一透明电流扩展层的厚度范围为1
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50nm。
[0008]在一实施例中，所述第二透明电流扩展层的厚度大于所述第一透明电流扩展层的厚度。
[0009]在一实施例中，所述第二透明电流扩展层的厚度至少为所述第一透明电流扩展层的厚度的2倍。
[0010]在一实施例中，所述第一透明电流扩展层的厚度占所述透明电流扩展层的厚度的0.5%
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33%。
[0011]在一实施例中，所述第一透明电流扩展层中掺杂的Al金属浓度自所述第二电极向所述第二半导体层的方向起逐渐降低。
[0012]在一实施例中，所述发光二极管还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层位于所述第二电极和所述第二半导体层之间。
[0013]在一实施例中，所述第二透明电流扩展层直接覆盖在所述第二半导体层上。
[0014]在一实施例中，所述发光二极管的边长小于等于200μm。
[0015]本专利技术还提供一种发光装置，其至少包括电路控制元件和发光光源，所述电路控制元件耦接所述发光光源，所述发光光源包含前述任意一实施例所述的发光二极管。
[0016]本专利技术的一个优势在于提供一种发光二极管以及发光装置，通过第一透明电流扩展层中掺杂Al金属的设置，也就是在透明电流扩展层靠近第二电极的顶层中掺杂Al金属，以此来提高载流子浓度，增加导电率，降低发光二极管的操作电压，进而改善ESD，提高发光二极管的静电防护能力；此外，该掺杂Al金属的工艺可以提升发光二极管的抗老化能力，在长期更高结温下，实现点亮无电压上升、无光照衰减、无漏电的效果。
[0017]本专利技术的另一个优势在于提供一种发光二极管以及发光装置，通过第一透明电流扩展层中掺杂的Al金属浓度由表面向内部逐渐减少的设置，可进一步增加透明电流扩展层的导电性能，提高载流子的横向扩散效果，降低发光二极管的操作电压，提高发光二极管的静电防护能力。
[0018]本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书等内容中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述的位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。
[0020]图1是本专利技术一实施例提供的发光二极管的结构示意图；图2是本专利技术一实施例提供的发光二极管的俯视示意图；图3是现有发光二极管和本专利技术发光二极管的抗ESD能力示意图；图4是本专利技术另一实施例提供的发光二极管的结构示意图；图5是本专利技术又一实施例提供的发光二极管的结构示意图。
[0021]附图标记：1、2、3
‑
发光二极管；10
‑
衬底；12
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外延结构；121
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第一半导体层；122
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发光层；123
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第二半导体层；14
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透明电流扩展层；141
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第一透明电流扩展层；142
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第二透明电流扩展层；16
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钝化层；161
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第一开口；162
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第二开口；20
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电流阻挡层；21
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第一电极；22
‑
第二电极；31
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第一焊盘；32
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第二焊盘；H1
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透明电流扩展层的厚度；H2
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第一透明电流扩展层的厚度；H3
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第二透明电流扩展层的厚度。
具体实施方式
[0022]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例；下面所描述的本专利技术不同实施方式中所设计的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合；基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的
范围。
[0023]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、或以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：外延结构，包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述发光层位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；透明电流扩展层，位于所述第二半导体层之上；第一电极，位于所述外延结构之上，并电连接所述第一半导体层；第二电极，位于所述透明电流扩展层之上；其中，所述透明电流扩展层包括第一透明电流扩展层和第二透明电流扩展层，所述第一透明电流扩展层的两侧分别连接于所述第二电极和所述第二透明电流扩展层，所述第二透明电流扩展层远离所述第一透明电流扩展层的一侧连接于所述第二半导体层，所述第一透明电流扩展层中掺杂Al金属，所述第一透明电流扩展层的厚度占所述透明电流扩展层的厚度的0.5%
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33%。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明电流扩展层的材料包括氧化铟锡。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明电流扩展层的厚度范围为20
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150nm。4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一透明电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王绘凝，夏宏伟，马全扬，刘士伟，卓佳利，杨硕，林素慧，张中英，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：