一种发光二极管制造技术

本实用新型专利技术提供一种发光二极管，所述发光二极管的电流扩展层包括第一扩展层和第二扩展层，其中，第一扩展层具有通孔，第二扩展层为导电性较强的石墨烯层，石墨烯层覆盖第一扩展层通孔的侧壁及部分表面，使电流通过石墨烯层在纵向与横向上同时流入第一扩展层，再流入外延层，由于石墨烯材料具有良好的导电性，且透光率高，因此相比于仅设置一层电流扩展层的发光二极管，具有更佳的电流扩展效果，从而能够使发光二极管的工作电压得到有效降低，进一步提高其出光效率；此外，所述石墨烯层的厚度介于至之间，这样既保证了电流扩展层具有良好的导电性，又在最大程度上提高了发光二极管的出光效率。光二极管的出光效率。光二极管的出光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管


[0001]本技术涉及半导体
，具体的，涉及一种发光二极管。

技术介绍

[0002]发光二极管由于具有发光效率高、寿命长、环保等优点，已经广泛应用在固态照明、显示、移动照明等领域，进一步提高其发光效率仍然是当前行业发展的重点。在现有技术中，主要通过降低发光二极管的工作电压和减少光线在外延结构中的损失，来达到提高其发光效率的目的，然而改善过程较为缓慢。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的不足，本技术提出一种发光二极管，所述发光二极管的电流扩展层包括第一扩展层和第二扩展层，其中，第一扩展层具有通孔，第二扩展层为导电性较强的石墨烯层，石墨烯层覆盖第一扩展层通孔的侧壁及部分表面，使电流通过石墨烯层在纵向与横向上同时流入第一扩展层，再流入外延层，由于石墨烯材料具有良好的导电性，且透光率高，因此相比于仅设置一层电流扩展层的发光二极管，具有更佳的电流扩展效果，从而能够使发光二极管的工作电压得到有效降低，提高其出光效率；此外，所述石墨烯层的厚度介于至之间，这样既保证了电流扩展层具有良好的导电性，又在最大程度上提高了发光二极管的出光效率。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种发光二极管，所述发光二极管包括：
[0005]衬底；
[0006]外延层，形成在所述衬底表面，所述外延层包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述第一半导体层形成第一台面，所述第一半导体层、第二半导体层和有源层形成高于所述第一台面的第二台面；
[0007]电流扩展层，所述电流扩展层包括形成在所述第二台面上的第一扩展层和第二扩展层，所述第一扩展层具有通孔，所述第二扩展层形成在所述通孔的侧壁上及所述第一扩展层的至少部分表面上。
[0008]可选地，所述第二扩展层的导电性大于所述第一扩展层的导电性。
[0009]可选地，所述第二扩展层为石墨烯层。
[0010]可选地，所述第二扩展层为单层或多层结构。
[0011]可选地，所述发光二极管还包括：
[0012]第一电流阻挡层，形成在所述第一台面的部分表面上；
[0013]第二电流阻挡层，形成在所述第二台面的部分表面上，且所述第二电流阻挡层的侧壁和部分表面被所述第一扩展层包覆。
[0014]可选地，所述发光二极管还包括：
[0015]第一电极结构，形成在所述第一台面上与所述第一半导体层电连接；
[0016]第二电极结构，填充在所述通孔中并覆盖所述第二扩展层，以通过所述第二扩展层和所述第一扩展层与所述第二半导体层电连接。
[0017]可选地，所述电流扩展层还包括形成在所述第一台面上的第三扩展层，所述第三扩展层位于所述第一半导体层与所述第一电极结构之间。
[0018]可选地，所述第三扩展层环绕所述第一电流阻挡层。
[0019]可选地，所述第三扩展层从第一台面的表面延伸至第一电流阻挡层的部分表面。
[0020]可选地，所述第三扩展层为石墨烯层。
[0021]可选地，所述第三扩展层为单层或多层结构。
[0022]可选地，还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层形成在所述第一台面的表面、第二台面的表面及侧壁，以及所述第一电极结构和所述第二电极结构的侧壁上。
[0023]本技术的发光二极管，至少具有以下有益效果：
[0024]本技术提出的发光二极管的电流扩展层包括第一扩展层和第二扩展层，其中，第一扩展层具有通孔，第二扩展层为导电性较强的石墨烯层，石墨烯层覆盖第一扩展层通孔的侧壁及部分表面，使电流通过石墨烯层在纵向与横向上同时流入第一扩展层，再流入外延层，由于石墨烯材料具有良好的导电性，且透光率高，因此相比于仅设置一层电流扩展层的发光二极管，具有更佳的电流扩展效果，从而能够使发光二极管的工作电压得到有效降低，进一步提高其出光效率；此外，所述石墨烯层的厚度介于至之间，这样既保证了电流扩展层具有良好的导电性，又在最大程度上提高了发光二极管的出光效率。
附图说明
[0025]图1显示为实施例一提供的发光二极管的结构示意图。
[0026]图2显示为图1框A中的局部结构示意图。
[0027]图3显示为实施例二提供的发光二极管的结构示意图。
[0028]图4显示为实施例二提供的另一种发光二极管的结构示意图。
[0029]元件标号说明
[0030]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
衬底
[0031]2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
外延层
[0032]21
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一半导体层
[0033]22
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
有源层
[0034]23
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二半导体层
[0035]210
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一台面
[0036]220
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二台面
[0037]31
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一扩展层
[0038]310
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一扩展层通孔
[0039]32
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二扩展层
[0040]33
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第三扩展层
[0041]41
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一电极结构
[0042]42
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二电极结构
[0043]51
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第一电流阻挡层
[0044]52
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
第二电流阻挡层
[0045]6ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
绝缘保护层
具体实施方式
[0046]以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其它优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0047]需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，虽图示中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量、位置关系及比例可在实现本方技术方案的前提下随意改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
[0048]实施例一
[0049]本实施例提供了一种发光二极管，如图1所示，所述发光二极管包括：衬底1、外延层2以及电流扩展层，所述电流扩展层包括第一扩展层31及第二扩展层32。
[0050]上述衬底1可以是蓝宝石衬底、碳化硅衬底、氮化硅衬底、氮化镓衬底、硅衬底、玻璃衬底等任意适合的衬底。本实施例优选蓝宝石衬底为例。
[0051]作为示例，所述外延层2为氮化镓基外延层，形成在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括：衬底；外延层，形成在所述衬底表面，所述外延层包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述第一半导体层形成第一台面，所述第一半导体层、第二半导体层和有源层形成高于所述第一台面的第二台面；电流扩展层，所述电流扩展层包括形成在所述第二台面上的第一扩展层和第二扩展层，所述第一扩展层具有通孔，其特征在于，所述第二扩展层形成在所述通孔的侧壁上及所述第一扩展层的至少部分表面上。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二扩展层的导电性大于所述第一扩展层的导电性。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二扩展层为石墨烯层。4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二扩展层为单层或多层结构。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二扩展层的厚度介于6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：第一电流阻挡层，形成在所述第一台面的部分表面上；第二电流阻挡层，形成在所述第二台面的部分表面上，且所述第二电流阻挡层的侧壁和部分表面被所述第一扩展层包覆。...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡家豪，周立，汪琴，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：