一种倒装高亮LED制造技术

本实用新型专利技术公开了一种倒装高亮LED，其中，包括：衬底；介质层结构，设置于所述衬底的出光面上；外延层结构，设置于所述衬底远离所述介质层结构的一面上；其中，所述介质层结构的折射率小于预设阈值。在本实用新型专利技术中，通过在衬底的出光面增加一层介质层，且配合介质层的折射率范围在1

【技术实现步骤摘要】
一种倒装高亮LED


[0001]本技术涉及LED领域，尤其涉及一种倒装高亮LED。

技术介绍

[0002]相比于传统的正装LED而言，倒装LED具有比较多的优势，例如无金线掉电极风险、封装散热好、可承受较大电流冲击等，倒装LED的应用也愈发广泛，倒装LED又可称为倒装芯片(Flip chip)。
[0003]由于倒装LED需要通过回流焊的方式固晶在基板上，芯片需要从蓝宝石面出光。芯片量子阱发出的光经过衬底蓝宝石面，入射到空气，蓝宝石的折射率较大约1.96，通过菲涅尔公式(sinθ＝N1/N2)计算，从衬底的光发出到空气的全反射角度为30.67
°
，其余角度的光均需要在衬底中不断反射，直至入射角度小于30.67
°
才可射出，其中存在一部分光在不断的反射中损失，且另一部分光在从芯片的侧壁发出而导致损失，进一步影响倒装芯片的亮度。
[0004]因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现思路

[0005]鉴于上述现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种倒装高亮LED，旨在解决现有的倒装LED芯片出光角度较低导致芯片亮度较暗的问题。
[0006]本技术的技术方案如下：
[0007]一种倒装高亮LED，其中，包括：
[0008]衬底；
[0009]介质层结构，设置于所述衬底；
[0010]外延层结构，设置于所述衬底；
[0011]其中，所述外延层结构设置在所述衬底的正面，所述介质层结构设置在所述衬底的出光面，所述介质层结构的折射率小于预设阈值。
[0012]所述倒装高亮LED，其中，所述预设阈值设置为1.96。
[0013]所述倒装高亮LED，其中，所述介质层结构的折射率大于1，所述介质层结构的厚度范围为所述衬底的厚度设置为100μm
‑
250μm。
[0014]所述倒装高亮LED，其中，所述外延层结构包括依次设置在所述衬底上的第一半导体层、发光层及第二半导体层。
[0015]所述倒装高亮LED，其中，所述第二半导体层上设置有电流阻挡层，所述电流阻挡层覆盖部分所述第二半导体层，所述电流阻挡层的厚度范围为
[0016]所述倒装高亮LED，其中，所述第二半导体层上设置有电流扩展层，所述电流扩展层覆盖所述电流阻挡层，所述电流扩展层的厚度范围为
[0017]所述倒装高亮LED，其中，所述衬底上设置有绝缘层，所述绝缘层覆盖所述外延层结构和所述电流扩展层，所述绝缘层上设置有电极引出结构，所述绝缘层的厚度范围设置
为1μm
‑
4μm。
[0018]所述倒装高亮LED，其中，所述第一半导体层上设置有第一层N电极，所述第一层N电极的厚度范围为1μm
‑
4μm，所述电流扩展层上设置有第一层P电极，所述第一层P电极的厚度范围为1μm
‑
4μm。
[0019]所述倒装高亮LED，其中，所述电极引出结构包括第一电极引出端和第二电极引出端，所述第一电极引出端与所述第一层N电极电性连接，所述第二电极引出端与所述第一层P电极电性连接。
[0020]一种显示装置，其中，所述显示装置包括上述任一项所述的倒装高亮LED，所述显示装置包括线路板，所述线路板与所述LED连接。
[0021]有益效果：本技术提供一种倒装高亮LED，其中，包括：衬底；介质层结构，设置于所述衬底的出光面上；外延层结构，设置于所述衬底远离所述介质层结构的一面上；其中，所述介质层结构的折射率小于预设阈值。在本技术中，通过在衬底的出光面增加一层介质层，且配合介质层的折射率范围在1
‑
1.96的设置方式，增大芯片从蓝宝石面的出光角度，从而达到提高倒装LED亮度的效果。
附图说明
[0022]图1a
‑
图7a为本技术的倒装高亮LED的制备方法的相应步骤对应的剖面示意图。
[0023]图1b
‑
图7b为本技术的倒装高亮LED的制备方法的相应步骤对应的部分俯视示意图。
[0024]图8为本技术的倒装高亮LED的沿厚度方向的剖面示意图。
具体实施方式
[0025]本技术提供一种倒装高亮LED，为使本技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0026]需说明的是，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接在另一个部件上或者间接在该另一个部件上。当一个部件被称为是“连接于”另一个部件，它可以是直接连接到另一个部件或者间接连接至该另一个部件上。
[0027]还需说明的是，本技术实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本技术的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此，附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
[0028]倒装LED芯片需要从蓝宝石面出光，芯片量子阱发出的光经过衬底蓝宝石面，入射到空气，蓝宝石的折射率较大约1.96，通过菲涅尔公式(sinθ＝N1/N2)计算，从衬底的光发出到空气的全反射角度为30.67
°
，其余角度的光均需要在衬底中不断反射，直至入射角度小于30.67
°
才可射出，其中存在一部分光在不断的反射中损失，且另一部分光在从芯片的
侧壁发出而导致损失，进一步影响倒装芯片的亮度。
[0029]为了解决上述问题，本技术提供了一种倒装高亮LED，如图8所示，包括：衬底100；介质层结构200，设置于所述衬底100的出光面上；外延层结构300，设置于所述衬底100远离所述介质层结构200的一面上；其中，所述介质层结构200的折射率小于预设阈值。
[0030]在本技术较佳的实施例中，正因采用上述技术方案，通过在衬底的出光面增加一层介质层，且配合介质层的折射率范围在1
‑
1.96的设置方式，增大芯片从蓝宝石面的出光角度，从而达到提高倒装LED亮度的效果。
[0031]在本实施例中，如图8所示，所述预设阈值设置为1.96。
[0032]在本实施例中，如图8所示，所述介质层结构200的折射率大于1，所述介质层结构200的厚度范围为所述衬底100的厚度设置为100μm
‑
250μm。
[0033]具体地，所述介质层结构200为介质层结构200，所述衬底100的出光面为衬底100的背面(即下表面)，所述衬底100为高透光蓝宝石衬底(Al2O3)，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种倒装高亮LED，其特征在于，包括：衬底；介质层结构，设置于所述衬底的出光面上；外延层结构，设置于所述衬底远离所述介质层结构的一面上；其中，所述介质层结构的折射率小于预设阈值。2.根据权利要求1所述的倒装高亮LED，其特征在于，所述预设阈值设置为1.96。3.根据权利要求2所述的倒装高亮LED，其特征在于，所述介质层结构的折射率大于1，所述介质层结构的厚度范围为所述衬底的厚度设置为100μm
‑
250μm。4.根据权利要求3所述的倒装高亮LED，其特征在于，所述外延层结构包括依次设置在所述衬底上的第一半导体层、发光层及第二半导体层。5.根据权利要求4所述的倒装高亮LED，其特征在于，所述第二半导体层上设置有电流阻挡层，所述电流阻挡层覆盖部分所述第二半导体层，所述电流阻挡层的厚度范围为6.根据权利要求5所述的倒装高亮LED，其特征在于，所述第二半导体层上设置有电流扩展层，所述电流扩展层覆盖所述电流阻挡层，所述电流扩展层...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴广超，张雪梅，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：