自动测试大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度的装置及测试方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种自动测试大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度的装置及测试方法，本发明专利技术通过设计自动旋转样品的旋转台来实现小行程样品台即可以测试6英寸等更大尺寸的硅基碲镉汞薄膜材料的功能，结合数据拼接软件可以将4个象限的测试结果进行拼接，从而实现准确测定6英寸硅基碲镉汞薄膜材料的Mapping厚度，进而有效解决了现有不能对大尺寸的硅基碲镉汞薄膜材料进行厚度测试的问题。料进行厚度测试的问题。料进行厚度测试的问题。

【技术实现步骤摘要】
自动测试大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度的装置及测试方法


[0001]本专利技术涉及红外半导体材料
，特别是涉及一种自动测试大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度的装置及测试方法。

技术介绍

[0002]在红外半导体材料领域，HgCdTe材料由于本身是一种直接带隙半导体材料且具有可调的禁带宽度，可以覆盖整个红外波段，使其成为一种理想的红外探测器材料，从70年代就开始被广泛应用于制备不同类型的红外探测器，当前已经成为红外探测领域应用最广泛的探测器材料。经过近三十年的不断发展，目前已经能够采用LPE、MOVPE以及MBE等多种方法制备出许多高质量的Hg1
‑
xCdxTe外延薄膜和高性能的红外探测器件，大面积、低成本的碲镉汞薄膜需要分子束外延技术制备。
[0003]对于碲镉汞薄膜材料来说，在外延完成后需要利用傅里叶变换红外光谱仪对其进行组分、厚度、截至波长的Mapping测试，以获取整个材料各个位置的组分、厚度、截至波长的信息，从而反馈到生长工艺的设计中，调节材料组分配比和生长厚度。然而傅里叶变换红外光谱仪样品台行程较小，无法实现对各大尺寸，如6英寸，材料的表征测试。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种自动测试大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度的装置及测试方法，以解决现有技术中不能对较大尺寸的碲镉汞薄膜材料进行厚度测试的问题。
[0005]第一方面，本专利技术提供了一种自动测试大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度的装置，该装置包括：旋转台，以及设置在所述旋转台上的待测硅基碲镉汞薄膜样品槽和背景片，所述旋转台还与动力装置相连；
[0006]通过所述动力装置控制所述旋转台绕所述旋转台的中心点进行旋转，以带动所述待测硅基碲镉汞薄膜样品槽上的待测硅基碲镉汞薄膜样品进行旋转，并控制所述旋转台的旋转角度，以使得所述待测硅基碲镉汞薄膜样品旋转到任意待测位置，并通过测试装置来对所述待测硅基碲镉汞薄膜样品的厚度进行测量。
[0007]可选地，所述旋转台上还设有复位传感器；
[0008]所述复位传感器用于记录所述旋转台的初始测试位置，并通过控制所述复位传感器使得所述旋转台回复到所述初始测试位置。
[0009]可选地，所述旋转台的外径尺寸大于所述待测硅基碲镉汞薄膜样品的外径尺寸。
[0010]可选地，所述旋转台上设有十字分割区，所述十字分割区的中心与所述旋转台的圆心相重合，通过所述十字分割区将所述旋转台均分为四个象限。
[0011]可选地，所述动力装置为马达。
[0012]第二方面，本专利技术提供了一种应用上述任意一项所述的装置对大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度进行自动测试的方法，该方法包括：将装有待测硅基碲镉汞薄膜样品的旋转台安装在所述测试装置的样品台上，在所述旋转台右上方设置测试使用的背景片；设置测试尺
寸和测试步距，所述测试装置采集完背景片光谱后，对所述待测硅基碲镉汞薄膜样品进行测试，依次得到不同象限的测试结果并进行存储，并基于各个象限的测试结果进行拼接后得到所述待测硅基碲镉汞薄膜样品的整体测试结果。
[0013]可选地，在进行测试前，控制复位传感器进行复位归零。
[0014]可选地，对所述待测硅基碲镉汞薄膜样品进行测试，依次得到不同象限的测试结果并进行存储，包括：对第一象限内的所述待测硅基碲镉汞薄膜样品进行测试，得到第一测试结果；控制所述旋转台顺时针旋转90
°
，对第二象限内的所述待测硅基碲镉汞薄膜样品进行测试，得到第二测试结果，控制所述旋转台进行选择，依次测试获得第三象限和第四象限的第三测试结果和第四测试结果，并对所述第一测试结果、第二测试结果、第三测试结果和第四测试结果进行保存。
[0015]可选地，所述待测硅基碲镉汞薄膜的直径大于6英寸。
[0016]第三方面，本专利技术提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有信号映射的计算机程序，所述计算机程序被至少一个处理器执行时，以实现上述任一种所述的对大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度进行自动测试的方法。
[0017]本专利技术有益效果如下：
[0018]本专利技术通过设计自动旋转样品的旋转台来实现小行程样品台即可以测试6英寸等更大尺寸的硅基碲镉汞薄膜材料的功能，结合数据拼接软件可以将4个象限的测试结果进行拼接，从而实现准确测定6英寸硅基碲镉汞薄膜材料的Mapping厚度，进而有效解决了现有不能对大尺寸的硅基碲镉汞薄膜材料进行厚度测试的问题。
[0019]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本专利技术的具体实施方式。
附图说明
[0020]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
[0021]图1是本专利技术第一实施例提供的一种自动测试大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度的装置的结构示意图；
[0022]图2是本专利技术第一实施例提供的一种对大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度进行自动测试的方法的流程示意图；
[0023]附图说明：1旋转台、2样品槽、3背景片、4动力装置、5复位传感器。
具体实施方式
[0024]本专利技术实施例针对现有不能对大尺寸的硅基碲镉汞薄膜材料进行厚度测试的问题，通过设计自动旋转样品的旋转台来实现小行程样品台即可以测试6英寸等更大尺寸的硅基碲镉汞薄膜材料的功能，结合数据拼接软件可以将4个象限的测试结果进行拼接，从而实现准确测定6英寸硅基碲镉汞薄膜材料的Mapping厚度。以下结合附图以及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不
限定本专利技术。
[0025]本专利技术第一实施例提供了一种自动测试大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度的装置，参见图1，该装置包括：旋转台1，以及设置在所述旋转台1上的待测硅基碲镉汞薄膜样品槽2和背景片3，所述旋转台1还与动力装置4相连；
[0026]通过所述动力装置4控制所述旋转台1绕所述旋转台1的中心点进行旋转，以带动所述待测硅基碲镉汞薄膜样品槽2上的待测硅基碲镉汞薄膜样品进行旋转，并控制所述旋转台1的旋转角度，以使得所述待测硅基碲镉汞薄膜样品旋转到任意待测位置，并通过测试装置来对所述待测硅基碲镉汞薄膜样品的厚度进行测量。
[0027]具体实施时，将所述旋转台1装在先由的测试装置的样品台上，利用现有的测试装置来对样品槽2内的待测样品进行测试。
[0028]进一步地，本专利技术实施例中所述的装置还可以设置有复位传感器5，该复位传感器5设置在所述旋转台1上，所述复位传感器5用于记录所述旋转台1的初始测试位置，并通过控制所述复位传感器5使得所述旋转台1回复到所述初始测试位置。
[0029]需要说明的是，本专利技术实施例中所述旋转台1的外径尺寸大于所述待本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自动测试大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度的装置，其特征在于，包括：旋转台，以及设置在所述旋转台上的待测硅基碲镉汞薄膜样品槽和背景片，所述旋转台还与动力装置相连；通过所述动力装置控制所述旋转台绕所述旋转台的中心点进行旋转，以带动所述待测硅基碲镉汞薄膜样品槽上的待测硅基碲镉汞薄膜样品进行旋转，并控制所述旋转台的旋转角度，以使得所述待测硅基碲镉汞薄膜样品旋转到任意待测位置，并通过测试装置来对所述待测硅基碲镉汞薄膜样品的厚度进行测量。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述旋转台上还设有复位传感器；所述复位传感器用于记录所述旋转台的初始测试位置，并通过控制所述复位传感器使得所述旋转台回复到所述初始测试位置。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述旋转台的外径尺寸大于所述待测硅基碲镉汞薄膜样品的外径尺寸。4.根据权利要求1
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3中任意一项所述的装置，其特征在于，所述旋转台上设有十字分割区，所述十字分割区的中心与所述旋转台的圆心相重合，通过所述十字分割区将所述旋转台均分为四个象限。5.根据权利要求1
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3中任意一项所述的装置，其特征在于，所述动力装置为马达。6.一种应用权利要求1
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5中任意一项所述的装置对大尺寸硅基碲镉汞薄膜厚度进行自动测试的方法，其特征在于，包括：将装有待测硅基碲镉汞薄膜样品...

【专利技术属性】
技术研发人员：折伟林，李乾，师景霞，邢伟荣，李达，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：