【技术实现步骤摘要】
利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法及系统
[0001]本专利技术属于半导体制造
,具体涉及一种利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法及系统。
技术介绍
[0002]阱邻近效应(WPE,Well Proximity Effect),在IC制造过程中,在阱离子注入期间,高能掺杂离子在阱光刻胶边缘散射,并且在形成栅极之前,散射离子被注入MOSFET沟道(如图1所示)。阱掺杂的横向不均匀性导致MOSFET阈值电压和其他电气特性随晶体管到阱边(SC)的距离而变化,这种现象通常被称为阱邻近效应(WPE)。如图2所示,随着晶体管到阱边(SC)的距离减小,进入沟道的散射离子数量增加,因此Vt将增加,Ids将减少。
[0003]版图产生偏移可能是由于对准偏差引起的。对准偏差可能来源于掩模变形或比例不正常、晶圆本身的变形、光刻机投影透镜系统的失真、晶圆工件台移动的不均匀等。版图的偏移会导致产品的质量存在问题。
[0004]因此,基于上述技术问题需要设计一种新的利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法及系统。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的是提供一种利用WPE效应验证Poly版图偏移的方法及系统。
[0006]为了解决上述技术问题,本专利技术提供了一种验证Poly版图偏移的方法,包括:
[0007]判断多晶硅控制栅偏移的方向;以及
[0008]获取多晶硅控制栅偏移的距离。
[0009]进一步,所述判断多晶硅控制栅偏移的方向的方法为:判断多晶硅控制栅相 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种验证Poly版图偏移的方法,其特征在于,包括:判断多晶硅控制栅偏移的方向;以及获取多晶硅控制栅偏移的距离。2.如权利要求1所述的验证Poly版图偏移的方法,其特征在于,所述判断多晶硅控制栅偏移的方向的方法为:判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向。3.如权利要求2所述的验证Poly版图偏移的方法,其特征在于,所述判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向中,多晶硅控制栅包括四个相同的晶体管:T1、T2、T3和T4;其中晶体管T1与晶体管T3在一直线上,晶体管T2与晶体管T4在另一直线上,并且晶体管T1和晶体管T3所在的直线与晶体管T2和晶体管T4所在的直线垂直;以及四个晶体管中心对称;各晶体管均设置有对应的有源区。4.如权利要求3所述的验证Poly版图偏移的方法,其特征在于,所述判断多晶硅控制栅偏移的方向时,有源区宽度W与晶体管宽度L的比为1:1。5.如权利要求4所述的验证Poly版图偏移的方法,其特征在于,所述判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向的方法包括:当T1的电流大于T3的电流且T2的电流等于T4的电流时,晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31小于晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11,此时多晶硅控制栅相对于有源区沿T1向T3的方向偏移,并且晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31为sc31=sc310‑
DL1,晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11为sc11=sc110+DL1;当T1的电流小于T3的电流且T2的电流等于T4的电流时,晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31大于晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11,此时多晶硅控制栅相对于有源区沿T3向T1的方向偏移,并且晶体管T3实际与对应阱边之间的距离sc31为sc31=sc310+DL1,晶体管T1实际与对应阱边之间的距离sc11为sc11=sc110‑
DL1;其中,sc310为标准版图中晶体管T3与对应阱边之间的距离;sc110为标准版图中晶体管T1与对应阱边之间的距离;DL1为多晶硅控制栅相对于有源区在T3与T1所在直线上偏移的距离。6.如权利要求5所述的验证Poly版图偏移的方法,其特征在于,所述判断多晶硅控制栅相对于有源区的偏移方向的方法还包括:当T2的电流大于T4的电流且T1的电流等于T3的电流时,晶体管T4实际与对应阱边之间的距离sc41小于晶体管T2实际与对应阱边之间的距离sc21,此时多晶硅控制栅相对于有源区沿T2向T4的方向偏移,并且晶体管T4实际与对应阱边之间的距离sc41为sc41=sc410‑
DL2,晶体管T2实际与对应阱边之间的距离sc21为sc21=sc210+DL2;当T2的电流小于T4的电流且T1的电流等于T3的电流时,晶体管T4实际与对应阱边之间的距离sc41大于晶体管T2实际与对应阱边之间的距离sc21,此时多晶硅控制栅相对于有源区沿T4向T2的方...
【专利技术属性】
技术研发人员:汤茂亮,张昊,
申请(专利权)人:上海华虹宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:
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