挽救存储器装置中的不良块制造方法及图纸

本申请涉及挽救存储器装置中的不良块。在一些实例中公开用于使用在不同部分上存在缺陷的存储器块的无缺陷部分的方法、系统、装置、存储器装置和机器可读媒体。替代停用整个块，所述系统可仅停用所述块的一部分(例如，所述块的第一叠组)且挽救所述块的不同部分(例如，所述块的第二叠组)。所述块的第二叠组)。所述块的第二叠组)。

【技术实现步骤摘要】
挽救存储器装置中的不良块


[0001]实施例涉及存储器装置，例如NAND存储器装置。一些实施例涉及通过使用不受缺陷影响的块的良好部分来利用具有缺陷的存储器块的部分。一些实施例涉及将有缺陷块的良好部分与其它有缺陷块的其它良好部分组合以形成各种虚拟块结构。

技术介绍

[0002]用于计算机或其它电子装置的存储器装置可分类为易失性和非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据，且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)或同步动态随机存取存储器(SDRAM)等。非易失性存储器可在未供电时保持所存储数据，且包含快闪存储器、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、静态RAM(SRAM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电阻可变存储器、相变存储器、存储级存储器、电阻式随机存取存储器(RRAM)和磁阻随机存取存储器(MRAM)等。
[0003]快闪存储器用作广泛范围的电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置通常包含允许高存储器密度、高可靠性和低功耗的例如浮动栅极或电荷阱存储器单元等晶体管的一或多个群组。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：处理器；存储器，其存储指令，所述指令在执行时使得所述处理器执行包括以下各项的操作：接收对存储器单元块的第二部分执行操作的请求，所述存储器单元块的第一部分具有来自第一所识别缺陷类型列表的类型的缺陷且所述第二部分不具有来自第二所识别缺陷类型列表的类型的缺陷，第二所识别缺陷类型集合包含第一所识别缺陷类型集合；基于操作类型识别所述块的所述第一部分的偏置电压；对所述第二部分执行所述操作，所述执行所述操作包括在所述操作期间通过向所述第一部分的字线施加偏置电压来停用所述第一部分。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述第一部分是所述块的第一叠组并且所述第二部分是所述块的第二叠组。3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述缺陷包括两个或更多个字线之间的短路。4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述缺陷包括电阻字线。5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中对所述第二部分执行的所述操作为以下各者中的一者：将主机数据存储在所述第二部分中，从所述第二部分读取主机数据，或擦除所述第二部分。6.根据权利要求1所述的存储器装置，其中识别所述第一部分的所述缺陷的所述操作包括基于操作期间所述第一部分的错误率而确定所述缺陷存在。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中对所述第二部分执行操作的所述操作包括对请求消息的地址位进行解码，所述地址位指定要应用所述操作的所述存储器单元块的部分。8.一种用于挽救存储器装置的有缺陷块的部分的方法，所述方法包括：接收对存储器单元块的第二部分执行操作的请求，所述存储器单元块的第一部分具有来自第一所识别缺陷类型列表的类型的缺陷且所述第二部分不具有来自第二所识别缺陷类型列表的类型的缺陷，第二所识别缺陷类型集合包含第一所识别缺陷类型集合；基于操作类型识别所述块的所述第一部分的偏置电压；对所述第二部分执行所述操作，所述执行所述操作包括在所述操作期间通过向所述第一部分的字线施加偏置电压来停用所述第一部分。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一部...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：