非易失性存储器件的擦除方法及存储设备的操作方法技术

一种非易失性存储器件包括存储块，所述存储块包括形成在衬底上的第一结构和形成在所述第一结构上的第二结构。所述非易失性存储器件的擦除方法包括：向所述第一结构的第一正常字线和所述第二结构的第二正常字线施加字线擦除电压；以及向所述第一结构的第一结字线和所述第二结构的第二结字线中的至少一者施加小于所述字线擦除电压的结字线擦除电压。所述第一结字线是所述第一结构的字线当中与所述第二结构相邻的字线，所述第二结字线是所述第二结构的字线当中与所述第一结构相邻的字线。二结构的字线当中与所述第一结构相邻的字线。二结构的字线当中与所述第一结构相邻的字线。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器件的擦除方法及存储设备的操作方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年8月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0106060和于2020年11月2日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0144544的优先权，上述申请的全部公开内容通过引用合并于此。


[0003]本文描述的本公开的实施例涉及半导体存储器，并且更具体地涉及非易失性半导体存储器的擦除方法及存储设备的操作方法。

技术介绍

[0004]半导体存储器被分类为：在断电时存储在其中的数据消失的易失性存储器(例如，静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM))，或者即使在断电时也保持存储的数据的非易失性存储器(例如，闪存、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)或铁电RAM(FRAM))。如今，正在开发用于以三维结构堆叠存储单元的技术，以提高非易失性存储器件的集成度。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器件的擦除方法，所述非易失性存储器件包括存储块，所述存储块包括形成在衬底上的第一结构和形成在所述第一结构上的第二结构，所述第一结构包括连接到第一正常单元和第一结存储单元的多条第一字线，所述第二结构包括连接到第二正常单元和第二结存储单元的多条第二字线，所述方法包括：在字线设置阶段期间，向所述多条第一字线中的与所述第一结构的所述第一正常单元连接的第一正常字线和所述多条第二字线中的与所述第二结构的所述第二正常单元连接的第二正常字线施加字线擦除电压；以及在所述字线设置阶段期间，向所述多条第一字线中的与所述第一结构的所述第一结存储单元连接的第一结字线和所述多条第二字线中的与所述第二结构的所述第二结存储单元连接的第二结字线中的至少一者施加小于所述字线擦除电压的结字线擦除电压，其中，所述第一结字线是所述多条第一字线当中与所述第二结构相邻的字线，所述第二结字线是所述多条第二字线当中与所述第一结构相邻的字线。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一结构还包括第一沟道，所述第一沟道穿过所述第一正常字线和所述第一结字线，其中，所述第二结构还包括第二沟道，所述第二沟道穿过所述第二正常字线和所述第二结字线。3.根据权利要求2所述的方法，其中，穿过所述第一结字线的所述第一沟道的直径大于穿过所述第二结字线的所述第二沟道的直径。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一结字线与所述第二结字线之间的距离大于相邻的所述第一正常字线之间的距离或相邻的所述第二正常字线之间的距离。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述字线设置阶段期间，向位于所述第一正常字线与所述第一结字线之间的第一虚设字线施加第一电压；以及在所述字线设置阶段期间，向位于所述第二正常字线与所述第二结字线之间的第二虚设字线施加所述第一电压。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述字线设置阶段期间：向连接到所述第一结构的公共源极线施加擦除电压；以及向分别连接到一个或更多个接地选择晶体管的一条或更多条接地选择线施加小于所述擦除电压的第一电压，所述一条或更多条接地选择线位于所述第一正常字线与所述衬底之间。7.根据权利要求6所述的方法，还包括：在所述字线设置阶段期间，向位于所述第一正常字线与所述一条或更多条接地选择线之间的虚设字线施加所述第一电压。8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述字线设置阶段期间：向连接到所述第二结构的位线施加擦除电压；以及向分别连接到一个或更多个串选择晶体管的一条或更多条串选择线施加小于所述擦除电压的第一电压，所述一条或更多条串选择线位于所述第二正常字线与所述位线之间。9.根据权利要求8所述的方法，还包括：在所述字线设置阶段期间，向位于所述一条或更多条串选择线与所述第二正常字线之
间的虚设字线施加所述第一电压。10.根据权利要求1所述的方法，还包括：当向所述第一结字线和所述第二结字线中的一者施加所述结字线擦除电压时，向所述第一结字线和所述第二结字线中的另一者施加大于所述结字线擦除电压的擦除禁止电压。11.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述字线设置阶段之后的擦除阶段期间，将所述第一正常字线和所述第二正常字线的电压保持在所述字线擦除电压；以及在所述擦除阶段期间改变所述结字线擦除电压的电平。12.根据权利要求11所述的方法，还包括：在所述擦除阶段之后，对所述存储块执行擦除验证操作，其中，所述的执行擦除验证操作包括：向所述第一正常字线和所述第二正常字线施加擦除验证电压，以及向所述第一结字线和所述第二结字线施加大于所述擦除验证电压的结验证电压。13.一种非易失性存储器件的擦除方法，所述非易失性存储器件包括存储块，所述存储块包括形成在衬底上的第一结构和形成在所述第一结构上的第二结构，所述第一结构包括连接到第一正常单元和第一结存储单元的多条第一字线，所述第二结构包括连接到第二正常单元和第二结存储单元的多条第二字线，所述方法包括：在字线设置阶段...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐准浩，金龙来，张韩尔，权赫济，南尚完，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：