【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器及电子设备
[0001]本专利技术涉及存储器
,特别是涉及一种非易失性存储器及电子设备。
技术介绍
[0002]NOR闪存(NOR flash)芯片及NAND闪存(NAND flash)芯片在进行读取和擦除等操作时会不断对字线进行充电和放电。读取和擦除校验等过程都需要对字线施加一个适当的正压。当读取到下一条字线或者当前字线的擦除校验通过进行下一条字线的校验时,需要对当前字线进行放电,然后再对下一条字线进行充电。
[0003]例如,读取指令译码后NOR flash会连续读取多条字线的存储单元,直到片选信号CSB拉高才停止读取。
[0004]再例如,一条字线擦除校验通过后会切换到下一条字线进行擦除校验。通常NOR flash中的位线数量有数千条,即一条字线连接数千个晶体管的控制栅极,字线上的负载电容很大,不断地对字线进行充电和放电将消耗大量功耗。
[0005]因此需要对现有技术的问题提出解决方法。
技术实现思路
[0006]本专利技术的目的在于提供一种非易失性存储器及电 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器,其特征在于,所述非易失性存储器包括:存储器单元阵列;多条字线;电荷泵;字线译码器,电性耦接至所述电荷泵并用于控制所述电荷泵与所述多条字线为电性连接或电性断开;以及电荷共享模块,用于控制两条字线为电性连接或电性断开。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器,其特征在于,所述电荷共享模块包括多个开关,每个所述开关连接至对应的两条字线之间...
【专利技术属性】
技术研发人员:李枝勇,耿莉荣,
申请(专利权)人:合肥格易集成电路有限公司,
类型:新型
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。