存储器的读干扰影响检测方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种存储器的读干扰影响检测方法、装置、终端设备以及计算机存储介质，该存储器的读干扰影响检测方法包括：根据存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点；若确定存在所述电压跳变点，则将所述电压跳变点对应的数据页确定为待检测读干扰影响的数据页；根据所述数据页针对所述存储器进行读干扰影响检测。本发明专利技术无需针对存储器的全部数据页都进行检测，而仅针对一部分受到读干扰影响较多的数据页进行检测，极大程度上缩短了检测存储器的存储单元遭受读干扰影响的整体耗时，提高了读干扰影响的检测速度和检测效率。了读干扰影响的检测速度和检测效率。了读干扰影响的检测速度和检测效率。

【技术实现步骤摘要】
存储器的读干扰影响检测方法、装置、设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及存储器
，尤其涉及一种存储器的读干扰影响检测方法、装置、终端设备以及计算机存储介质。

技术介绍

[0002]时下，诸多的存储器在频繁的针对内部某一物理块的某数据页上存储的数据进行读写操作时，该读写操作通常都会针对该物理块中的其它数据页上存储的数据造成一定的干扰，即，存储器自身具备的读干扰特性(英文称谓：Read Disturb)。
[0003]由于存储器的读干扰会对一个物理块的所有数据页均产生干扰影响，但存储器本申请又无法预测到具体哪一个数据页遭受到的干扰影响最大，因此，现有通用的检测存储器读干扰对数据页所产生影响的方式，都是扫描一个物理块上的全部数据页，以检测数据页中的比特出错概率是否超过阈值，以确定因遭受到读干扰影响而被损坏的目标数据页。然而，由于现有任意存储器的一个物理块中所包含的数据页已经越来越多，如此，通过上述扫描每一个数据页来确定读干扰影响的方式需要的检测耗时也越来越长，导致数据页遭受读干扰影响的检测效率低下。
[0004]综上，如何缩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的读干扰影响检测方法，其特征在于，所述存储器的读干扰影响检测方法包括：根据存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点；若确定存在所述电压跳变点，则将所述电压跳变点对应的数据页确定为待检测读干扰影响的数据页；根据所述数据页针对所述存储器进行读干扰影响检测。2.如权利要求1所述的存储器的读干扰影响检测方法，其特征在于，所述根据存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点的步骤，包括：获取所述存储器已编程字线所包含的存储单元的阈值电压分布；根据所述阈值电压分布和预设的临近电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点。3.如权利要求2所述的存储器的读干扰影响检测方法，其特征在于，预设的所述临近电压分布与所述阈值电压分布相邻；在所述根据所述阈值电压分布和预设的临近电压分布，确定所述已编程字线是否存在电压跳变点的步骤之前，还包括：获取所述已编程字线中所述存储单元与所述阈值电压分布相邻的各所述临近电压分布。4.如权利要求1所述的存储器的读干扰影响检测方法，其特征在于，所述将所述电压跳变点对应的数据页确定为待检测读干扰影响的数据页的步骤，包括：检测所述电压跳变点在所述已编程字线中指向的目标数据页；将所述目标数据页确定为待检测读干扰影响的数据页。5.如权利要求1所述的存储器的读干扰影响检测方法，其特征在于，所述根据所述数据页针对所述存储器进行读干扰影响检测的步骤，包括：确定所述电压跳变点对应的数据页所属的数据页类型；在所述存储器全部...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹志忠，陈寄福，吴大畏，李晓强，
申请(专利权)人：长沙市致存科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：