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一种非易失性存储器件包括存储块，所述存储块包括形成在衬底上的第一结构和形成在所述第一结构上的第二结构。所述非易失性存储器件的擦除方法包括：向所述第一结构的第一正常字线和所述第二结构的第二正常字线施加字线擦除电压；以及向所述第一结构的第一结字...
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