存储器中感测电流的增大制造技术

本公开包含用于存储器中感测电流的增大的设备、方法及系统。实施例包含：存储器，其具有多个存储器单元；及电路系统，其经配置以对在所述存储器的操作期间对所述存储器的所述存储器单元执行的编程操作的数目进行计数及在所述编程操作数目的所述计数达到阈值计数之后增大用于感测所述存储器的所述存储器单元的数据状态的电流的量值。元的数据状态的电流的量值。元的数据状态的电流的量值。

【技术实现步骤摘要】
存储器中感测电流的增大


[0001]本公开大体上涉及半导体存储器及方法，且更特定来说，涉及存储器中感测电流的增大。

技术介绍

[0002]存储器装置通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可移除装置。存在许多不同类型的存储器，其包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器需要电力来维持其数据，且可尤其包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)。非易失性存储器可在未供电时通过保存所存储数据来提供永久数据，且可尤其包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)及电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)及可编程导电存储器。
[0003]存储器装置可用作需要高存储器密度、高可靠性及低功耗的各种电子应用的易失性及非易失性存储器。非易失性存储器可用于例如个人计算机、便携式存储器棒、固态硬盘(SSD)、数码相机、蜂窝电话、例如MP3播放器的便携式音乐播放器及电影播放器及其它电子装置中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备(300)，其包括：存储器(100、306)，其具有多个存储器单元(125)；及电路系统(304)，其经配置以：对在所述存储器的操作期间对所述存储器的所述存储器单元执行的编程操作的数目进行计数；及在所述编程操作数目的所述计数达到阈值计数之后增大用于感测所述存储器的所述存储器单元的数据状态的电流(434)的量值。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述电路系统经配置以在所述编程操作数目的所述计数第二次达到所述阈值计数之后第二次增大用于感测所述存储器单元的所述数据状态的所述电流的所述量值。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述电路系统经配置以在所述编程操作数目的所述计数达到所述阈值计数之后增大所述阈值计数。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述电路系统经配置以在所述编程操作数目的所述计数达到所述阈值计数之后增大用于感测所述存储器单元的所述数据状态的所述电流的所述量值增大的量。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述电路系统经配置以：在增大所述电流的所述量值之后使用所述电流感测所述存储器的数个所述存储器单元的所述数据状态；确定与感测到的数据状态相关联的位错误率；及在与所述感测到的数据相关联的所述位错误率满足或超过阈值位错误率之后增大所述电流的所述量值。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个存储器单元中的每一者是自选择存储器单元，其中单个材料用作选择元件及存储元件。7.一种操作存储器(100、306)的方法，其包括：对在存储器(100、306)的操作期间对所述存储器的存储器单元(125)执行的编程操作的数目进行计数；及在所述编程操作数目在多次中的每一次达到阈值计数时增大用于感测所述存储器的所述存储器单元的数据状态的电流(434)的量值。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述阈值计数在所述多次中的每一者是相同阈值计数。9.根据权利要求7所述的方法，其中用于感测所述存储器单元的所述数据状态的所述电流的所述量值在所述多次中的每一者增大相同量。10.根据权利要求7所述的方法，其中所述方法包含在每次所述编程操作数目达到所述阈值计数时增大用于感测所述存储器单元的所述电流的所述量值增大的量。11.根据权利要求7所述的方法，其中所述数据状态是：第一数据状态，其与第一不对称阈值电压分布相关联，所述第一不对称阈值电压分布针对负极性的量值大于正极性；或第二数据状态，其与第二不对称阈值电压分布相关联，所述第二不对称阈值电压分布针对所述正极性的量值大于所述负极性。
12.一种设备(300)，其包括：存储器(100、306)，其具有多个存储器单元(125)；及电路系统(304)，其经配置以：通过将第一感测电压施加到...

【专利技术属性】
技术研发人员：鹿中原，R，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：