用于存储器装置的行清除特征及相关联方法及系统制造方法及图纸

本申请案涉及用于存储器装置的行清除特征及相关联方法及系统。在一些实施例中，所述存储器装置可从主机装置接收针对包含于所述存储器装置中的存储器阵列的行的命令。所述存储器装置可确定所述命令针对与所述行相关联的两个或多于两个列，其中每一列与一群组存储器胞元耦合。所述存储器装置可激活所述行以使用存储于所述存储器装置的寄存器中的一组预定数据写入所述两个或多于两个列。随后，所述存储器装置可基于将所述一组预定数据写入到所述两个或多于两个列来取消激活字线。所述两个或多于两个列来取消激活字线。所述两个或多于两个列来取消激活字线。

【技术实现步骤摘要】
用于存储器装置的行清除特征及相关联方法及系统


[0001]本公开大体上涉及存储器装置，且更特定来说，涉及用于存储器装置的行清除特征及相关联方法及系统。

技术介绍

[0002]存储器装置广泛用于存储与各种电子装置相关的信息，例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物。存储器装置经常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可移除装置。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。包含随机存取存储器(RAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)等的易失性存储器需要外加电源来维持其数据。相比之下，非易失性存储器可甚至在无外部供电时保存其存储的数据。非易失性存储器可用于各种技术中，包含快闪存储器(例如NAND及NOR)、相变存储器(PCM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、电阻随机存取存储器(RRAM)及磁性随机存取存储器(MRAM)等。改进存储器装置大体上可包含提高存储器胞元密度、提高读取/写入速度或否则减少操作延时、提高可靠性、增加数据保持、降低功耗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：在存储器装置处接收针对所述存储器装置的存储器阵列的行的命令，其中所述行与一组列相关联；响应于所述命令而激活所述行；将数据从所述存储器装置的寄存器写入到所述组中的两个或多于两个列；及至少部分基于将所述数据写入到所述组中的所述两个或多于两个列来取消激活所述行。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述命令是激活ACT命令。3.根据权利要求1所述的方法，其中将所述数据从所述存储器装置的所述寄存器写入到所述组中的所述两个或多于两个列包括基于来自所述寄存器的所述数据来写入重复位模式。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在写入所述数据之前根据存储于所述寄存器中的所述数据的数据模式激活所述存储器装置的写入驱动器，所述写入驱动器经配置以与所述组中的列耦合；及维持用所述数据模式激活的所述写入驱动器，同时将所述数据写入到所述组中的所述两个或多于两个列。5.根据权利要求1所述的方法，其中执行将所述数据写入到所述组中的所述两个或多于两个列而无需存取所述存储器装置的数据输入缓冲器。6.根据权利要求1所述的方法，其中响应于已激活所述行的所述命令而执行取消激活所述行。7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：基于存储于所述命令的一或多个位、所述存储器装置的第二寄存器或两者中的指示来确定所述命令针对所述组中的每一个别列。8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：基于经配置以识别列地址的所述存储器装置的计数器来将所述数据写入到所述组中的个别列，其中所述计数器进一步经配置以迭代通过对应于所述组中的所述个别列的所有列地址。9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括：在取消激活所述行之前在将所述数据写入到所述组中的所述个别列之后等待预定持续时间。10.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括：接收针对所述存储器阵列的所述行的额外命令，所述额外命令在从接收到所述命令起的预定持续时间之后接收，其中响应于接收到所述额外命令而执行取消激活所述行。11.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：确定所述命令针对包含所述两个或多于两个列的所述列的子集，其中所述确定是基于存储于所述命令的一或多个位、所述存储器装置的第二寄存器或两者中的指示；将所述数据写入到所述子集的第一列，其中所述存储器装置的计数器识别所述子集的所述第一列的第一地址；更新所述计数器以识别写入所述数据的所述子集的第二列的第二地址；及

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：