基板处理装置及其控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板处理装置及其控制方法。基板处理装置的其特征在于，包括：真空卡盘部，供晶片搭载；环盖部，设置于所述真空卡盘部的外围部；介质供给部，与所述真空卡盘部连接，以向所述真空卡盘部供给检查介质；以及密封环部，设置于所述真空卡盘部以支承所述晶片，并且供供给到所述真空卡盘部的所述检查介质流入。根据本发明专利技术，可以降低基板处理装置的维护成本，并防止由于处理液渗透到旋转卡盘部和真空卡盘部而损坏或污染旋转卡盘部和真空卡盘部。盘部而损坏或污染旋转卡盘部和真空卡盘部。盘部而损坏或污染旋转卡盘部和真空卡盘部。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及其控制方法


[0001]本专利技术涉及基板处理装置及其控制方法，更详细地，涉及可以轻松且快速确认密封环部是否破损及是否发生污染的基板处理装置及其控制方法。

技术介绍

[0002]通常，在半导体工序中进行用于蚀刻晶片的蚀刻工序、用于将晶片切割成多个模具的分离工序、用于清洗晶片的清洗工序等。基板处理装置用于晶片的蚀刻工序或清洗工序。
[0003]基板处理装置以可旋转的方式设置，包括在上部放置晶片的旋转台、以环形结合到旋转台的边缘区域的密封环部等。在旋转台旋转的状态下，向放置于旋转台的晶片供给处理液。
[0004]但是，由于以往的基板处理装置难以准确地确认密封环部是否破损，因而需要周期性地更换密封环部。从而可能增加基板处理装置的维护成本。
[0005]并且，在旋转台的上部结合密封环部的过程繁琐，并且在结合时密封环部的结合完成状态不恒定，因而可能会发生结合误差(错位等)。进一步地，当密封环部发生结合误差时，随着处理液从密封圈的外侧渗透，旋转台外围部的结构物可能受损。
[0006]并且，设置晶片固定模块以防止本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：真空卡盘部，供晶片搭载；环盖部，设置于所述真空卡盘部的外围部；介质供给部，与所述真空卡盘部连接，以向所述真空卡盘部供给检查介质；以及密封环部，设置于所述真空卡盘部以支承所述晶片，并且供供给到所述真空卡盘部的所述检查介质流入。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述真空卡盘部包括真空腔室，所述真空腔室形成为将供给到所述真空卡盘部的所述检查介质供给到所述密封环部。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述介质供给部包括：介质供给管部，与所述真空腔室连接；以及阀，设置于所述介质供给管部，以开闭所述介质供给管部的流路。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述介质供给部还包括：压力检测部，设置于所述介质供给管部，以测量介质供给管部的压力；以及流量检测部，设置于所述介质供给管部，以测量在所述介质供给管部中流动的所述检查介质的流量。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述检查介质包含荧光物质。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述密封环部包括：密封部件，容纳于所述真空卡盘部的密封槽部，并且在所述密封部件的内部形成有变形空间部；限制环部，设置于所述密封槽部，以使所述密封部件固定；以及连接器部，与所述变形空间部连接，以向所述变形空间部供给所述检查介质。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述密封部件通过检测所述介质供给管部的压力和流量，来确认所述密封部件是否破损以及所述检查介质是否流入所述密封环部的内部。8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述密封部件包括：密封本体部，容纳于所述密封槽部并形成有所述变形空间部；以及固定肋，从所述密封本体部向内侧延伸，以插入于所述限制环部。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述密封本体部包括弹性槽部，所述弹性槽部形成于所述密封本体部的外侧面部或内侧面部。10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述密封本体部包括锥形部，所述锥形部形成于所述密封本体部的宽度方向的两侧或一侧。11.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述密封本体部包括凹陷部，所述凹陷部在所述密封本体部的上侧以凹陷的方式形成。12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，所述密封本体部还包括弹性槽部，所述弹性槽部形成于所述密封本体部的外侧面部或内侧面部。13.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，所述密封本体部包括阶梯部...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔云，宋智勋，朴芝镐，
申请(专利权)人：杰宜斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：