衬底处理装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本申请案涉及一种衬底处理装置及半导体装置的制造方法。实施方式提供一种可容易提高衬底面内的药液处理的均匀性的衬底处理装置。一实施方式的衬底处理装置具备：处理槽，存放处理多块衬底的药液；配管，具有将药液或气泡喷出到处理槽内的喷出口；多根杆状体，在处理槽内支撑多块衬底；及转换机构，设置在多根杆状体或处理槽，将由从配管喷出的药液或气泡施加到各衬底的振动转换成以衬底的中心为旋转轴的单向旋转。轴的单向旋转。轴的单向旋转。

【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置及半导体装置的制造方法
[0001][相关申请案][0002]本申请案享有以日本专利申请案第2020
‑
142920号(申请日：2020年8月26日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参考所述基础申请案而包含基础申请案的所有内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及一种衬底处理装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0004]用药液处理衬底的步骤之一，有使衬底浸渍到存放在处理槽内的高温药液的蚀刻步骤。所述蚀刻步骤中，有通过从处理槽的底部喷出药液或者气泡而在处理槽内搅拌药液的情况。所述情况下，因药液的流速在喷出口附近较快，所以衬底面内的蚀刻量有可能会产生差别。

技术实现思路

[0005]专利技术要解决的问题在于，提供一种可容易提高衬底面内的药液处理的均匀性的衬底处理装置及半导体装置的制造方法。
[0006]一实施方式的衬底处理装置具备：处理槽，存放处理多块衬底的药液；配管，具有将药液或气泡喷出到处理槽内的喷出口；多根杆状体，在处理槽内支撑多块衬底；转换机构，设置在多根杆状体或处理槽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种衬底处理装置，其中具备：处理槽，存放处理多块衬底的药液；配管，具有将所述药液或气泡喷出到所述处理槽内的喷出口；多根杆状体，在所述处理槽内支撑所述多块衬底；及转换机构，设置在所述多根杆状体或所述处理槽，将由从所述配管喷出的所述药液或所述气泡施加到各衬底的振动转换成以所述衬底的中心为旋转轴的单向旋转。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中所述转换机构包含：多个凹部，沿着所述多块衬底的排列方向设置在各杆状体；及鳍状的多个弹性体，设置在各凹部的底部，朝所述一方向倾斜。3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中所述转换机构包含：多个凹部，沿着所述多块衬底的排列方向设置在各杆状体；及山脉状的多个突起部，设置在各凹部的底部，朝所述一方向倾斜。4.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中所述转换机构包含：第1杆状体，是所述多根杆状体中的一根；第2杆状体，相对于所述衬底的中心而与所述第1杆状体非对称配置，与所述第1杆状体在不同时间支撑所述多块衬底；及第3杆状体，配置在所述第1杆状体与所述第2杆状体之间，与所述第1杆状体或所述第2杆状体中的任一者同时支撑所述多块衬底。5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中所述配管具有喷出所述药液的第1配管、及喷出所述气泡的第2配管，在所述第2配管连接着产生所述气泡的气泡产生器。6.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其中所述多根杆状体的一部分设置在所述处理槽的内侧面或盖部。7.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中从所述第1杆状体到所述第3杆状体的直线距离，与从所述第2杆状体到所述第3杆状体的直线距离不同。8.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其中在所述第1杆状体、所述第2杆状体及所述第3杆状体各自的外周面的一部分贴附着防滑片。9.一种半导体装置的制造方法，其中将多块衬底浸渍到存...

【专利技术属性】
技术研发人员：中冈聡，桥本有司，藤田博，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：