制造储氢合金的活性研磨法制造技术

一种制造储氢材料的方法，其包括在还原气氛的条件下，在足以产生所需粒度和结晶大小的颗粒的时间内，使镁源粉碎。引入至少一种可还原的ＰＧＭ化合物，该化合物在粉碎期间充分地进行还原，以使它充分地分布在颗粒的表面上。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造储氢合金的活性研磨法本专利技术涉及到生产储氢材料的方法和如此产生的材料，特别涉及到基于镁和镁合金生产储氢材料的方法。金属氢化物作为能量贮存介质有很大的益处。镁和镁合金的氢化物特别有吸引力，因为它们潜在地将高储氢容量，对于纯MgH2为7.6重量％，与低价格和适宜的氢化合物生成热结合起来了。可是由于很差的吸收动力学，实际的应用受到了限制。例如，通常的镁的氢化需要在300℃和300℃以上的温度下进行长时间的处理。Zaluska进行的，发表在合金和化合物期刊，288(1999)，P217-225上的最近的研究表明使用高能球磨通过促进纳晶微观结构能够改进镁的氢吸收动力学。这样的加工增加了金属的表面积，因此氢化物的生成不限于金属的表面区域，也会引入大量的结构缺陷，而这些缺陷往往会助长氢的穿透。为了防止镁的氧化，粉碎法是在惰性气氛，例如氢气氛围的条件下进行，这一点是很重要的。使在300℃的条件下氢化时间减少到几分钟，则可以改进吸收动力学。可是这个温度对于许多的实际用途仍然太高。增强吸收动力学的其它方法已经包括了添加剂和催化剂的使用。例如，已经报到少量3d过渡金属例如Ti，V，Mn，Fe或Ni的加入，以便即是在减压条件下允许氢的吸收在室温下进行，随后的吸收在235℃的温度下进行。WO 9623906描述了使用高能球磨来产生具有良好氢吸特点的纳晶镁和镁合金的粉末。铂族金属，Pd，Pt，Ru，Rh，Ir和Os(下文称作PGM)的簇状化合物可以与镁颗粒的表面相连，以催化氢的吸收。到粉碎法结束时引入PGM。这些材料被说成是在室温，高压和低压的条件下能吸收和解吸附氢，可是，本说明书只含有在230℃和230℃以上的温度下进行的实验的实施例。再一次强调了在惰性气氛的条件下为防止粉末氧化进行粉碎的重要性。本方法有两个主要的缺点；首先，PGM以金属形态(元素形态)引入，细粒状时，这些金属极易自然，其次，被处理的材料在能够使用之前，它仍然需要负载氢。这需要氢化容器形式的额外的装置，也需要将材料由粉碎设备输送到使用场所的设备，而处处要防止污染。-->Okino等人在物质杂志(Acta mater)45(1997)，P331-341上叙述了在氢气氛围的条件下MgN2球磨情况，以便产生纳米结构的镁-镍氢化物。在加工期间，务必要保证没有其它的元素引入，因此避免了杂质对氢化和材料结构特性的影响。所希望的目的就是避免使用有危害的细分散的PGM，产生能负载氢，无需进一步处理就可供使用的储氢材料。这就是本专利技术以期实现的目的。根据本专利技术，制造储氢材料的方法包括在还原气氛的条件下，在足以产生具有所需粒度和结晶大小的颗粒的时间内粉碎镁源，至少引入一种可还原的PGM化合物；其中至少一种PGM化合物在粉碎期充分地被还原，并充分地分布在颗粒的表面上。还原气氛优选地包括氢。氢气既可以单独使用，也可以以与惰性气体如氮或氩的混合物形式使用。液体氨可用作氢源，在使用之前，氨可催化裂解成氢和氮。催化裂解液体氨提供氢的方法是众所周知的，从安全和成本的角度来看，催化裂解法也提供了有利的条件。由于使用了还原气氛，本专利技术具有显著的胜过以往已知的方法例如WO 9623906的方法的优点。在粉碎期间，氢被引入镁源的晶格中。这样所得到的材料已经充分地氢化了，在使用前，无需另外的加工。也可认为，由于晶格氢的存在，镁源的脆度增加，这导致更有效的粉碎，因此得到了较小的颗粒粒度和结晶粒度。另一个优点就是使用可还原的PGM化合物来代替金属本身的能力。如上所述，使用PGM化合物的危险性较小。在某些情况下，PGM化合物也可能比相应的金属显著地便宜，较易提供细粒形态。镁源可以包括镁金属本身，镁的氢化物或者镁与一种或多种其它金属形成的合金，或者金属间化合物，或者氢化合金或者氢化金属间化合物。合适的合金和金属间化合物实例包括镁与过渡金属例如镍，铁，或锰的二元合金或金属间化合物。任何的合金或金属间化合物都可以预形成，例如Mg2Ni，或者，可以向镁的混合物中引入合金元素，粉碎法经由机械合金作用而形成合金或金属间化合物。镁源优选地含有镁金属，镁氢化物，镁镍合金，或金属间化合物，或氢化镁镍合金，或金属间化合物。也可以使用混合镁源。假如镁源在粉碎期间能碎成所需要的粒度，则它的物理形态相对-->而言并不重要。粉末，颗粒，金属屑或其它的松散形态(bulk form)都可以使用，其中粉末形态是优选的。使用球磨进行粉碎是优选的，使用高能球磨更优选。这将大量的机械功引入镁源中，使得粒度和结晶大小减小。研磨介质(球)与待粉碎材料量之比可由本领域普通技术人员推知。合适地，使用的磨料与被磨材料重量比为5或5以上。行星磨，振动磨和喷射磨是合适的。或者，也可以使用其它已知的粉碎方法。虽然本专利技术的方法并不需要，但是在粉碎期间允许额外加热的磨在某些情况下可能是有益的。引入至少一种可还原的PGM化合物直至粉碎步骤结束是优选的。这保证PGM化合物和它的还原产物留在颗粒表面上或表面附近。如果PGM化合物在本方法中加入太早，则可能有充分的扩散时间而进入大部分的镁源中，这会损害PGM的催化效果，因此损害了材料的储氢能力。PGM化合物加入的精确时期将因若干因素例如粉碎过程的强烈程度和镁源的初始物理形态的不同而不同。可是典型情况是，如果使用高能球磨，则PGM化合物可在粉碎的最终时刻引入。至少一种可还原的PGM化合物源优选地含有氧化物，水合氧化物，卤化物或其它的盐类，或它们的任何混合物。钯的氧化物和水合氧化物，例如PdO和PdO·H2O，以及钌的氧化物，例如RuO2是特别优选的。还包括例如钌黑和钯黑等物质。这样的一些化合物在氢气条件下，在粉碎期间很容易还原形成相应的金属。钯倾向于在粒子上形成薄的不连续的涂层，而钌倾向于形成附着于颗粒的孤立的簇。合适地，颗粒具有小于100微米的平均粒度，更合适地小于20微米，优选地小于5微米，例如1微米。颗粒也有很小的结晶大小，这一点很重要。颗粒优选地具有小于100纳米的平均结晶大小，更优选地小于50纳米，例如30纳米。现在只根据实例并参照下列的附图对本专利技术进行描述，附图内容为：图1表示了氢从未催化的纳米结晶MgH2样品上和从未根据本专利技术的与PdO·H2O共磨80小时的纳米结晶MgH2样品上解吸附的曲线图。图2表示了氢从未催化的纳米结晶的MgH2样品上和从根据本专利技术的与钌黑共磨研磨时间的最终10小时，2小时，1小时，30分钟和15分钟的纳米结晶的MgH2样品上解吸附的曲线图；-->图3表示了氢从未催化的Mg2Ni样品上和从根据本专利技术的与PdO·H2O共研磨研磨时间的最终1小时的Mg2Ni样品上解吸附的曲线图；和图4表示了氢从未催化的Mg2Ni样品上和从根据本专利技术的与钌黑共研磨研磨时间的最终10小时，2小时，1小时，30分钟和15分钟的Mg2Ni样品上解吸附的曲线图。实施例1微晶MgH2的制备将筛目大小45微米和纯度99.8％的镁粉装入PARR反应器中。将粉末在氢气压60巴的条件下加热到400℃达3小时。实施例2氢解吸附测量使用下列的步骤对如下文所述而制备的所有样品进行了氢解吸附的测量。样品(约100毫克)放在动力真空装置中，以10℃/分钟的速度进行加热。为防止污染，所有样品在纯氩的气氛中在手套箱中进行处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造储氢材料的方法，该方法包括在还原气氛下将镁源粉碎达足以产生具有所需要的粒度和结晶大小的颗粒的时间，并引入至少一种可还原的ＰＧＭ化合物；其中该至少一种ＰＧＭ化合物在粉碎期间被充分地还原，并充分地分布在该颗粒的表面上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】GB 2002-8-16 0219112.01.一种制造储氢材料的方法，该方法包括在还原气氛下将镁源粉碎达足以产生具有所需要的粒度和结晶大小的颗粒的时间，并引入至少一种可还原的PGM化合物；其中该至少一种PGM化合物在粉碎期间被充分地还原，并充分地分布在该颗粒的表面上。2.根据权利要求1的方法，其中该还原气氛含有氢。3.根据权利要求1或2的方法，其中该镁源含有镁金属，镁氢化物或镁与一种或多种其它金属的合金或金属间化合物，或氢化合金或氢化金属间化合物。4.根据前述任一权利要求的方法，其中粉碎是...

【专利技术属性】
技术研发人员：AS普拉特，O古特弗莱施，
申请(专利权)人：约翰逊马西有限公司，德累斯顿固体和材料莱布尼兹研究院，
类型：发明
国别省市：GB[英国]