一种蚀刻液和使用了所述蚀刻液的阵列基板的制作方法技术

一种蚀刻液和使用了所述蚀刻液的阵列基板的制作方法，所述蚀刻液包括以下组分：10～20％质量百分比的过氧化氢；0.05～5％质量百分比的蚀刻抑制剂；0.1～2％质量百分比的氟化物组合物；0.5～5％质量百分比的硅蚀刻助剂；2～10％质量百分比的蚀刻添加剂；以及溶剂。所述蚀刻液对于源漏极层的铜/钼、铜/钛或铜/钼钛金属层有着蚀刻性能优异的效果且成本低，在保持器件高寿命的同时，可以蚀刻半导体层并降低金属残残留，从而降低后续干蚀刻制程带来的问题，甚至可以直接省去半导体层的干蚀刻制程，进而降低制作成本并且提高器件稳定性。进而降低制作成本并且提高器件稳定性。进而降低制作成本并且提高器件稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种蚀刻液和使用了所述蚀刻液的阵列基板的制作方法


[0001]本申请涉及蚀刻领域，特别涉及一种蚀刻液和使用了所述蚀刻液的阵列基板的制作方法。

技术介绍

[0002]在高世代的液晶显示器(thin
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film transistor,TFT)中，阵列基板上一般有五层结构，分别是栅级层、半导体层、源漏极层、钝化层和像素电极层。在常规的阵列基板制程工艺中，每一层膜都会经过成膜，涂布，曝光，蚀刻，去光阻等主要步骤才能形成特定走线图案。其中，栅级层、源漏极层和氧化铟锡层为金属/金属氧化物，通常采用蚀刻液进行湿蚀刻制程，而半导体层和钝化层通常采用等离子体进行干蚀刻制程。在源漏极层蚀刻过程中，蚀刻液会与半导体层接触，常规情况下，需要保证蚀刻液不伤害到半导体层。
[0003]在实际工艺过程中，若能使得蚀刻液在蚀刻源漏极层(通常包括铜、钼、钛等金属)时，同时蚀刻半导体层(通常包括a
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Si及SiNx)，则可以减少后续干蚀刻时间，甚至直接省去干蚀刻制程。由此带来的优点是湿蚀刻较为稳定温和，可降低后续干蚀刻制程带来的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻液，其特征在于，包括以下组分：10～20％质量百分比的过氧化氢；0.05～5％质量百分比的蚀刻抑制剂；0.1～2％质量百分比的氟化物组合物；0.5～5％质量百分比的硅蚀刻助剂；2～10％质量百分比的蚀刻添加剂；以及溶剂。2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻抑制剂包括杂环化合物。3.根据权利要求2所述的蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻抑制剂包括噻吩、苯并三氮唑、羟基苯并三氮唑、5
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氨基
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四氮唑、氨基四唑、吲哚、嘌呤、嘧啶、1,3
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噻唑或吡咯。4.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述氟化物组合物包括氟化钠、氟化钾、氢氟酸、氟化氨、氟化铝、氟化氢铵、氟化氢钠、氟化氢钾或氟硼酸。5.根据权利要求4所述的蚀刻液，其特征在于，所述氟化物组合物包括氟化物和氟化氢物。6.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述硅蚀刻助剂包括硝酸，硫酸、盐酸或磷酸。7.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：何毅烽，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：