铜蚀刻液及阵列基板的制造方法技术

本申请公开了一种铜蚀刻液及阵列基板的制造方法，该铜蚀刻液包括：10％

【技术实现步骤摘要】
铜蚀刻液及阵列基板的制造方法


[0001]本申请涉及显示面板
，具体涉及一种铜蚀刻液及阵列基板的制造方法。

技术介绍

[0002]高世代线的薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor liquid crystal display，TFT
‑
LCD)是显示面板技术的重要发展趋势，在高世代线的TFT
‑
LCD的TFT基板的生产工艺中，为了降低阻抗，提高电性，通常会用铜布线。铜蚀刻液在湿蚀刻过程中会遇上许多问题，其中数据线爬坡断线是工艺中面临的主要问题。
[0003]数据线爬坡断线是指设置于源漏金属层的数据线与设置于栅金属层的栅线的交汇处发生断线的问题。该问题与栅金属层的金属湿蚀刻工艺关联紧密，源漏金属层与栅金属层交汇处有一个台阶，该台阶会导致光阻覆盖性变差，当光阻与金属之间存在缝隙时，蚀刻液会渗透进入缝隙，造成缝隙处蚀刻剧增，导致过蚀刻，产生断线。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种铜蚀刻液及阵列基板的制造方法，以解决数据线爬坡断线问题。
[0005]一方面，本申请实施例提供一种铜蚀刻液，包括：10％
‑
20％质量分数的氧化剂；3％
‑
10％质量分数的螯合剂；0％
‑
5％质量分数的铜蚀刻抑制剂；0.5％
‑
5％质量分数的有机碱；0.5％
‑
5％质量分数的表面活性剂；以及余量的水。
[0006]可选的，在本申请的一些实施例中，所述氧化剂的质量分数为15％
‑
19％。
[0007]可选的，在本申请的一些实施例中，所述氧化剂包括双氧水、过氧乙酸或者过硫酸。
[0008]可选的，在本申请的一些实施例中，所述螯合剂的质量分数为5％
‑
10％。
[0009]可选的，在本申请的一些实施例中，所述螯合剂为有机酸，所述有机酸包括羧基、氨基中的至少一种。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述螯合剂包括丙酸、丙二酸、乙酸、丁二酸、甲酸、对氨基苯磺酸、氨基磺酸、琥珀酸、苹果酸、苯甲酸、柠檬酸、磺基水杨酸、水杨酸丙氨酸、甘氨酸、精氨酸中至少一种。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述铜蚀刻液还包括pH调节剂，所述pH调节剂包括无机碱或者无机酸。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述pH调节剂的质量分数为3％。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述铜蚀刻液，包括：15％
‑
19％质量分数的双氧水；5％
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10％质量分数的亚氨基二乙酸；0％
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5％质量分数的羟基苯丙三氮唑；0.5％
‑
5％质量分数的乙醇胺；0.5％
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5％质量分数的聚乙二醇；以及余量的去离子水。
[0014]另一方面，本申请还提供一种阵列基板的制造方法，包括：提供基板，在所述基板上形成第一金属层；图案化第一金属层形成栅极；在所述栅极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成第二金属层，使用如上述的铜蚀刻液蚀刻所述第二金属层，以形成源极和
漏极，得到所述阵列基板。
[0015]相较于现有技术中的铜蚀刻液，本申请实施例提供一种铜蚀刻液，通过提高氧化剂的质量含量以及螯合剂的质量含量，解决了与蚀刻液材料相关的爬坡断线问题。本申请还提供一种阵列基板的制造方法，通过使用该铜蚀刻液对源漏极金属层进行蚀刻，形成源极和漏极，得到所述阵列基板。通过本申请的阵列基板的制造方法制造的阵列基板，源极处不会产生爬坡断线，提升了阵列基板的可靠性。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本申请实施例提供的一种测试含铜金属薄膜横向腐蚀深度的方法的流程图；
[0018]图2是本申请实施例1的利用铜蚀刻液对铜/钼金属膜层进行蚀刻后，使用扫描电子显微镜观察到的试片截面照片；
[0019]图3是本申请实施例2的铜蚀刻液，对铜/钼金属膜层进行蚀刻后，使用扫描电子显微镜观察到的试片截面照片；
[0020]图4是本申请实施例3的铜蚀刻液，对铜/钼金属膜层进行蚀刻后，使用扫描电子显微镜观察到的试片截面照片。
具体实施方式
[0021]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0022]本申请实施例提供一种铜蚀刻液及阵列基板的制造方法，该铜蚀刻液可以解决与蚀刻液材料相关的数据线爬坡断线问题。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。术语“第一”、“第二”、“第三”等仅仅作为标示使用，其用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
[0023]本申请实施例提供一种铜蚀刻液包括：10％
‑
20％质量分数的氧化剂；3％
‑
10％质量分数的螯合剂；0％
‑
5％质量分数的铜蚀刻抑制剂；0.5％
‑
5％质量分数的有机碱；0.5％
‑
5％质量分数的表面活性剂；以及余量的水。优选地，水为去离子水。
[0024]在本申请实施例中，所述氧化剂包括双氧水、过氧乙酸或者过硫酸。优选地，氧化剂为双氧水，所述双氧水的质量分数为15％
‑
19％。
[0025]在本申请实施例中，螯合剂可螯合铜离子，降低电子器件腐蚀电势，螯合剂的具体物质包括羧基、氨基等基团的有机酸，其中，有机酸包括丙酸、丙二酸、乙酸、丁二酸、甲酸、对氨基苯磺酸、氨基磺酸、琥珀酸、苹果酸、苯甲酸、柠檬酸、磺基水杨酸、水杨酸丙氨酸、甘
氨酸、精氨酸等有机酸中的至少一种。优选地，有机酸的质量分数为5％
‑
10％。
[0026]在本申请实施例中，铜蚀刻抑制剂会影响膜层蚀刻深度，铜蚀刻抑制剂包括杂环类物质，选自噻吩、羟基苯并三氮唑、苯骈三氮唑、苯并吡唑、5
‑
氨基
‑
四氮唑、氨基四唑、吲哚、嘌呤、嘧啶、1,3
‑
噻唑、吡咯等中的至少一种。
[0027]在本申请实施例中，有机碱包括三乙醇胺，异丙醇胺，三乙胺环己胺，N
‑
乙基乙醇胺等中的至少一种。
[0028]在本申请实施例中，表面活性剂包括含羟基、氨基、羧基等亲水基团中的至少一种，具体而言本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铜蚀刻液，其特征在于，包括：10％
‑
20％质量分数的氧化剂；3％
‑
10％质量分数的螯合剂；0％
‑
5％质量分数的铜蚀刻抑制剂；0.5％
‑
5％质量分数的有机碱；0.5％
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5％质量分数的表面活性剂；以及余量的水。2.根据权利要求1所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述氧化剂的质量分数为15％
‑
19％。3.根据权利要求1或2所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述氧化剂包括双氧水、过氧乙酸或者过硫酸。4.根据权利要求1所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述螯合剂的质量分数为5％
‑
10％。5.根据权利要求1或4所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述螯合剂为有机酸，所述有机酸包括羧基、氨基中的至少一种。6.根据权利要求1所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述螯合剂包括丙酸、丙二酸、乙酸、丁二酸、甲酸、对氨基苯磺酸、氨基磺酸、琥珀酸、苹果酸、苯甲酸、柠檬酸、磺基水杨酸、水杨酸丙氨酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：何毅烽，康明伦，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：