快速蚀刻液及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种快速蚀刻液及其制备方法。快速蚀刻液包括以下含量的各组分：30～150g/L的硫酸，10～50g/L的双氧水，0.1～5g/L的防侧蚀保护剂，0.05～0.5g/L的湿润剂和0.5～20g/L的稳定剂；其中，防侧蚀保护剂包括1

【技术实现步骤摘要】
快速蚀刻液及其制备方法


[0001]本专利技术涉及线路板加工
，特别涉及一种快速蚀刻液及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子产品小型化和信号高频化的快速发展和要求，PCB必须加快走向高密度化！而PCB高密度化的实质主要是PCB导线(体)精细化的问题：不仅要求导线细小化，而且要求导线必须精度化！当今高端PCB导线的线宽/间距(L/S)已经走向微米级(如≤20μm或更小)时代，而其尺寸精度(误差范围)要满足
±
5％(甚至更小)。
[0003]实现高密度精细导线的制造工艺技术，主要包括全加成法、半加成法(SAP)和改良型半加成法(mSAP)。其中，加成法由于“加成”的铜箔与绝缘基板表面的结合力不好而影响可靠性和使用寿命，加上制造工艺复杂性大、稳定性差、规模化难与成本高等因素，未能得到大力推广应用。半加成法(SAP)和改良型半加成法(mSAP)所使用的工艺类似：首先在基板上涂覆薄铜层，然后进行负片图形设计，再电镀上所需厚度的铜层，之后移除种子铜层。
[0004]在半加成法(SAP)和改良型半加成法(mSA本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种快速蚀刻液，其特征在于，包括以下含量的各组分：30～150g/L的硫酸，10～50g/L的双氧水，0.1～5g/L的防侧蚀保护剂，0.05～0.5g/L的湿润剂和0.5～20g/L的稳定剂；其中，所述防侧蚀保护剂包括1
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(1,2
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二羧基乙基)苯并三唑、1
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二羟基丙基苯并三唑和5
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氨基四氮唑中的至少一种，所述湿润剂包括氟碳类表面活性剂和炔二醇聚氧乙烯醚中的至少一种，所述稳定剂包括N
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二甲基乙醇胺、N
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乙基乙醇胺、聚羧酸钠、氨基磺酸和5
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磺基水杨酸物质中的至少一种。2.根据权利要求1所述的快速蚀刻液，其特征在于，所述防侧蚀保护剂包括比例为0.5：0.5：(0.1～0.25)的1
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(1,2
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二羧基乙基)苯并三唑、1
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二羟基丙基苯并三唑和5
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氨基四氮唑。3.根据权利要求1所述的快速蚀刻液，其特征在于，所述防侧蚀保护剂的含量为0.5～2g/L。4.根据权利要求1所述的快速蚀刻液，其特征在于，所述氟碳类表面活性剂包括氟碳非离子表面活性剂FS
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31和氟碳非离子表面活性剂CapstoneFS
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3100。5.根据权利要求4所述的快速蚀刻液，其特征在于，所述湿润剂包括比例为(1～5)：1：0.5的氟碳非离子表面活性剂FS
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【专利技术属性】
技术研发人员：莫庆生，赵子俊，
申请(专利权)人：深圳市松柏实业发展有限公司，
类型：发明
国别省市：