一种蚀刻液制造技术

本发明专利技术公开一种蚀刻液配方，涉及印制电路板制造领域和集成电路制造领域。根据本发明专利技术，可提供一种蚀刻液，用于降低铜厚、形成线路的作业，可改善铜面针孔不良以及优化矩形线路断面，同时提高蚀刻速度，提高效率。本发明专利技术的蚀刻液特征在于由硫酸、双氧水、醇类促进剂以及苯环类稳定剂组成，其中双氧水和硫酸在单位体积内的质量比大于8:1，双氧水8

【技术实现步骤摘要】
一种蚀刻液


[0001]本专利技术涉及印制电路板制造领域和集成电路制造领域，更具体地说，涉及高多层电路板、HDI电路板及载板制造过程中通过蚀刻降低铜厚或形成线路的应用。

技术介绍

[0002]目前印制电路板制造过程中蚀刻液有以下几个体系：硫酸/双氧水体系的蚀刻液、过硫酸钠/硫酸体系的蚀刻液、次氯酸钠/盐酸体系的蚀刻液、双氧水/盐酸体系的蚀刻液。以上传统配方都非常成熟，但在特定的蚀刻中各自存在不足。
[0003]硫酸/双氧水体系的蚀刻液在处理存在晶格应力的基板时，比如经过填孔电镀的基板时，会产生穿晶腐蚀，形成针孔，影响精细线路的制作。为了解决针孔问题，传统的做法是进行高温烘烤，通过烘烤的方式释放晶格之间的应力，从而减少蚀刻过程中针孔的发生过硫酸钠/硫酸体系的蚀刻液蚀刻速率慢、溶铜量低，所以生产效率低。
[0004]次氯酸钠/盐酸体系的蚀刻液和双氧水/盐酸体系的蚀刻液常用于线路蚀刻，但由于蚀刻各向同性，会产生梯形线路，不能制作精密线路，因此制作精细线路时需要采用成本更高的Msap工艺。

技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻液，其特征在于包括以下按照质量百分比构成的组份：双氧水：8
‑
30%；硫酸：0.3
‑
15%；水：余量；该蚀刻液配方中所述硫酸按照质量百分比浓度小于15%，且双氧水与硫酸的单位体积内的质量比大于8：1。2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于包括以下按照质量百分比构成的组份：双氧水：8
‑
30%；硫酸：0.3
‑
15%；促进剂：5
‑
20%水：余量；该蚀刻液配方中所述促进剂为醇类化合物，包括一元醇、二元醇和多元醇中的一种或几种。3.根据权利要求2所述的蚀刻液，其特征在于包括以下按照质量百分比构成的组份：双氧水：8
‑
30%；硫酸：0.3
‑
15%；促进剂：5
‑
20%稳定剂：0
‑
2%水：余量；该蚀刻液配方中所述促进剂为木糖醇、山梨...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志强，王桂瑛，
申请(专利权)人：纳然电子技术苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：