一种用于FP行业Array制程厚膜工艺的铜蚀刻液制造技术

本发明专利技术属于金属蚀刻技术领域，特别涉及一种用于FP行业Array制程厚膜工艺的铜蚀刻液，由以下质量百分含量的组分组成：5

【技术实现步骤摘要】
一种用于FP行业Array制程厚膜工艺的铜蚀刻液


[0001]本专利技术涉及金属蚀刻
，特别涉及一种用于FP行业Array制程厚膜工艺的铜蚀刻液。

技术介绍

[0002]厚膜电路是指在同一基片上采用阵膜工艺(丝网漏印、烧结和电镀等)制作无源网络并组装上分立的半导体器件、单片集成电路或微型元件而构成的集成电路。厚膜通常认为厚度为几微米至几十微米的膜。厚膜混合集成电路的特点是设计更为灵活、工艺简便、成本低廉，特别适宜于多品种小批量生产。在电性能上，它能耐受较高的电压、更大的功率和较大的电流。厚膜技术因其高可靠性和高性能在汽车、消费电子、通信工程、医疗设备、航空航天等领域中。
[0003]现有FP(Flat Panel,平板显示)行业Array(阵列)铜制程大多数是薄膜工艺，铜蚀刻液针对的也是厚度小于10um的薄膜。因为厚膜工艺的金属膜层厚度大大的增加，造成需要蚀刻的量也大幅增加。可以往的铜蚀刻液使用在厚膜工艺中，往往蚀刻寿命不足，造成的药液的不稳定，也容易引发安全事故。
[0004]因此本专利技术提供一种新的蚀刻液配方来解决以上问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的主要目的是为了提供一种用于FP行业Array制程厚膜工艺的铜蚀刻液，能够安全稳定地完成厚膜工艺的蚀刻。
[0006]本专利技术通过如下技术方案实现上述目的：一种用于FP行业Array制程厚膜工艺的铜蚀刻液，由以下质量百分含量的组分组成：5
‑
10wt％磷酸、1
‑
5wt％强氧化性酸、0.1
‑
1wt％甲基苯并三氮唑、1
‑
5wt％螯合剂和余量的去离子水。
[0007]具体的，所述强氧化性酸优选硝酸。
[0008]具体的，所述螯合剂优选EDTMP。
[0009]本专利技术的有益效果在于：
[0010]本专利技术通过在配方中不含过氧化氢，稳定性好，安全性高，蚀刻效率可控，使用寿命长，能够满足厚膜工艺铜制程蚀刻的需求。
具体实施方式
[0011]一种用于FP行业Array制程厚膜工艺的铜蚀刻液，由以下质量百分含量的组分组成：5
‑
10wt％磷酸、1
‑
10wt％强氧化性酸、0.1
‑
1wt％甲基苯并三氮唑、1
‑
5wt％螯合剂和余量的去离子水。
[0012]甲基苯并三氮唑是一种缓蚀剂，只取少量就可以对铜蚀刻液的蚀刻速率起到控制作用，让系统中铜离子变化过程中依旧能够保持蚀刻效率在一个稳定值，避免蚀刻失控引发其他产品质量问题。
[0013]强氧化性酸优选硝酸，因为硝酸成本低，简单易得。
[0014]以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。
[0015]实施例1
‑
5：
[0016]按照表1配方混合制备实施例1
‑
5的用于FP行业Array制程厚膜工艺的铜蚀刻液：
[0017]表1：
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
单位：wt％
[0018][0019][0020]注：含量中不满100wt％的部分由去离子水补足余量。
[0021]实验方式：
[0022]以15wt％双氧水为对照例1，以25wt％双氧水为对照例2，与实施例1
‑
6的蚀刻剂进行比较实验。实验方法是将尺寸2cm
×
2cm、钼厚50nm、铜厚5000nm并在铜层表面涂有光刻胶的厚膜工艺基板垂直浸入蚀刻剂中，在30
‑
32℃条件下进行蚀刻，直至钼层被蚀刻完，取出并加新的基板继续蚀刻。以铜离子浓度作为表征，取5000ppm，10000ppm，15000ppm，20000ppm浓度下蚀刻完成的产品，放在电子显微镜下拍摄断面并记录CD loss和坡度角的变化评估在不同铜离子浓度下的蚀刻效果，结果如表2所示。
[0023]表2：
[0024][0025][0026]注：对照例1和对照例2即使到达反应终点铜离子浓度也达不到15000ppm。
[0027]由表2可知，相比于对照例1
‑
2，实施例1
‑
6的蚀刻液能够让蚀刻既有比较好的蚀刻效果，又能大幅提高蚀刻液的使用寿命，达到20000ppm能够更好地满足厚膜工艺铜制程蚀刻的需求。
[0028]以上所述的仅是本专利技术的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本专利技术的保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于FP行业Array制程厚膜工艺的铜蚀刻液，其特征在于由以下质量百分含量的组分组成：5
‑
10wt％磷酸、1
‑
5wt％强氧化性酸、0.1
‑
1wt％甲基苯并三氮唑、1
‑...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈浩，李华平，王润杰，
申请(专利权)人：苏州博洋化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：