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一种蚀刻液和使用了所述蚀刻液的阵列基板的制作方法，所述蚀刻液包括以下组分：10～20％质量百分比的过氧化氢；0.05～5％质量百分比的蚀刻抑制剂；0.1～2％质量百分比的氟化物组合物；0.5～5％质量百分比的硅蚀刻助剂；2～10％质量百分比...
该专利属于TCL华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过TCL华星光电技术有限公司授权不得商用。

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