存储器的读取方法以及电压补偿装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种存储器的读取方法，存储器包括多条字线以及连接于多条字线上的多个多位存储单元，多位存储单元用以通过多阶预设读取电压，以读取多位存储单元的存储值，该读取方法包括：分别定义多阶预设读取电压的各阶至少一读取偏移量，选择多阶预设读取电压中的至少一阶预设读取电压作为取样电压，对欲读取的多位存储单元的相邻字线上的多位存储单元进行读取，并根据取样电压的取样读值，设定代表读取偏移量大小的偏移标志，之后，将多阶预设读取电压分别结合各阶预设读取电压对应于偏移标志的读取偏移量，对欲读取的多位存储单元进行读取，从而使得该欲读取的多位存储单元的预设读取电压得以补偿。的预设读取电压得以补偿。的预设读取电压得以补偿。

【技术实现步骤摘要】
存储器的读取方法以及电压补偿装置
[0001]本申请是申请日为2020年10月20日、申请号为202011121625.5、专利技术名称为“存储器的读取方法以及电压补偿装置”的中国专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种存储器的读取方法以及电压补偿装置。

技术介绍

[0003]在3D NAND Flash(即三维NAND闪存)中，通常对TLC(即每存储单元可以存储3bit数据)产品使用一次性编程，其存储单元在读取过程中与程序验证过程中的状态是不同的。在程序验证中，WLn+1(即第n+1条字线)没有被编程，但是在大多数情况下，在读取过程中，WLn+1被编程。
[0004]但是，现有技术下的NAND闪存，在对WLn+1进行编写时，会导致WLn(即第n条字线)上的存储单元的阈值电压移位，进而会导致读取数据出现错误。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种存储器的读取方法以及电压补偿装置，有效地解决了在对存储器的欲读取的多位存储单元的相邻字线进行编写时，导致该欲读取的多位存储单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的读取方法，所述存储器包括多条字线以及连接于所述多条字线上的多个多位存储单元，所述多位存储单元用以通过多阶预设读取电压，读取所述多位存储单元的存储值，其特征在于，所述读取方法包括：偏移确定步骤，利用取样电压对欲读取的多位存储单元的相邻字线上的多位存储单元进行读取，并根据所述取样电压的取样读值，确定代表读取偏移量大小的偏移标志；其中，所述取样电压为所述多阶预设读取电压中的至少一阶预设读取电压；所述取样电压为N个，各阶所述预设读取电压对应的读取偏移量为N+1个，N为大于等于2的正整数；读取步骤，利用所述多阶预设读取电压及各阶所述预设读取电压对应于所述偏移标志的读取偏移量，对所述欲读取的多位存储单元进行读取。2.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，每个所述多位存储单元用以被编程于多阶阈值电压其中之一；所述多位存储单元落入N+1个因各阶所述阈值电压不同而得的取样读值分区的其中之一，每个所述取样读值分区对应一个所述偏移标志。3.根据权利要求2所述的读取方法，其特征在于，所述偏移确定步骤具体包括：取样读值获取步骤，利用N个取样电压分别获取欲读取的多位存储单元的相邻字线上的多位存储单元的读值；取样读值分区步骤，根据所述读值，将所述欲读取的多位存储单元的相邻字线上的多位存储单元分类到N+1个所述取样读值分区其中之一；偏移标志获取步骤，根据被分类到的所述取样读值分区，确定对应的所述偏移标志。4.根据权利要求3所述的读取方法，其特征在于，所述读取步骤具体包括：确定步骤，根据所述偏移标志，确定相应阶预设读取电压的当前读取偏移量；执行步骤，利用所述相应阶预设读取电压与所述当前读取偏移量之和，对所述欲读取的多位存储单元进行读取。5.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，所述方法还包括：定义步骤，分别定义所述各阶预设读取电压对应的N+1个读取偏移量。6.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，所述偏移标志以log2(N+1)个位元表示。7.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，所述读取偏移量包括电压偏移值与电压偏置时间其中之一。8.根据权利要求1所述的读取方法，其特征在于，所述相邻字线为所述欲读取的多位存储单元所在的字线的下一条字...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭晓江，张超，李海波，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：