存储器器件的参考生成的按行跟踪制造技术

本发明专利技术涉及存储器器件的参考生成的按行跟踪。本公开涉及一种结构，该结构包括多个磁随机存取存储器(MRAM)位基元，位基元包括第一电路和第二电路，第二电路被连接到与第一电路相同的字线，使得第二电路被配置为并联串联连接以生成用于感测的参考电阻值。接以生成用于感测的参考电阻值。接以生成用于感测的参考电阻值。

【技术实现步骤摘要】
存储器器件的参考生成的按行跟踪


[0001]本公开涉及参考生成，更具体地涉及用于存储器器件的参考生成的按行(row
‑
wise)跟踪的电路和方法以及操作方法。

技术介绍

[0002]存储器器件被用作计算机或其他电子设备中的内部存储区域。用于在计算机中存储数据的一种特定类型的存储器是随机存取存储器(RAM)。RAM通常用作计算系统中的主要片上以及片外存储单元，并且通常是易失性的，因为一旦电源关断，RAM中存储的所有数据都会丢失。
[0003]电路设计者正考虑将电阻型非易失性存储器(NVM)结构用于片上存储器阵列，这是由于其具有高速、低功耗、非易失性和低面积消耗等优点。这些NVM结构可以包括自旋转移扭矩
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磁隧道结磁随机存取存储器(STT
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MTJ MRAM)、自旋轨道扭矩MRAM(SOT
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MRAM)和电压控制磁各向异性磁隧道结磁随机存取存储器(VCMA
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MTJ MRAM)。
[0004]MRAM结构包括以列和行布置的MRAM基元(例如，S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结构，包括多个磁随机存取存储器MRAM位基元，所述位基元包括第一电路和第二电路，所述第二电路被连接到与所述第一电路相同的字线，使得所述第二电路被配置为并联串联连接以生成用于感测的参考电阻值。2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第二电路包括参考位电路，所述参考位电路包括用于生成所述参考电阻值的多个列。3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述参考位电路包括真位基元，所述真位基元被配置为生成参考电阻值(RP+RAP)/2以实现中点感测。4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述参考位电路包括多个晶体管。5.根据权利要求4所述的结构，其中，所述多个晶体管中的每一个包括NFET晶体管。6.根据权利要求4所述的结构，其中，所述参考位电路包括并联连接的多个磁隧道结MTJ位基元的串联组合。7.根据权利要求2所述的结构，其中，所述参考位电路包括多个参考位，所述多个参考位在所述MRAM位基元的阵列被写入时被同时编程。8.根据权利要求2所述的结构，其中，所述参考位电路用于生成(RP+RAP)/2的读取操作期间的参考电阻值以实现中点感测。9.根据权利要求2所述的结构，其中，所述参考位电路从与所述第一电路相同的字线生成所述参考电阻值，并且所述第一电路包括读/写阵列电路。10.一种电路，包括：参考位电路，其包括用于生成参考电阻值的多个第一列；以及读/写阵列电路，其包...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：