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本发明涉及存储器器件的参考生成的按行跟踪。本公开涉及一种结构，该结构包括多个磁随机存取存储器(MRAM)位基元，位基元包括第一电路和第二电路，第二电路被连接到与第一电路相同的字线，使得第二电路被配置为并联串联连接以生成用于感测的参考电阻值。...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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