包含在其表面上形成的Cu-腈化合物络合物的二次电池用铜集电体制造技术

技术编号:3244883 阅读:224 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了在其表面上形成Cu-腈化合物络合物的铜箔或网、其制造方法以及包含使用该铜箔或网为集电体的电极的锂二次电池。使用包含通过施加一定的电压水平而在其表面上形成的Cu-腈化合物络合物的铜集电体的锂二次电池在偏离正常驱动条件的过放电条件下,可以防止在3.6V或更高的电压下发生Cu的腐蚀,因此可以显著地改善过放电以后的容量恢复能力。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含在其表面上形成的Cu-腈化合物络合物的二次电池用铜集电体
本专利技术涉及包含在其表面上形成的Cu-腈化合物络合物的铜箔或网、其制造方法以及包含使用该铜箔或网为集电体的电极的锂二次电池。
技术介绍
近来,由于移动通讯产业及信息电子产业的迅速发展,重量轻、高容量的锂二次电池的需求正日益增加。尤其是,与其它常规电池相比,锂二次电池具有的优点是更高的驱动电压及更高的能量密度。然而,使用有机电解质的锂二次电池可能燃烧和爆炸,因此满足足够安全水平的锂二次电池已成为关注的焦点。为了防护在偏离锂二次电池正常驱动条件下发生的过充电或过放电,在锂二次电池中附加保护电路。然而,为了安全目的而附加到锂二次电池上的保护电路、PTC或温度保险丝并非优选。这是因为它们比较昂贵,且占有较大的体积。因此,非常需要的是无保护电路的电池。与此同时,到目前为止开发出的无保护电路的裸电池存在着问题。当它们在过充电测试后经受充电/放电循环时显示出快速的容量下降。此外,当将这种裸电池过放电至低于足够电压的电压时,由于它们的容量已显著减少,则即使尝试对它们进行再充电,它们也再不能经受充电/放电循环。在上述情况中,过充电之后容本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜箔或网,其包含在其表面上形成的Cu-腈化合物络合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 2004-12-2 10-2004-01005951.一种铜箔或网,其包含在其表面上形成的Cu-腈化合物络合物。2.根据权利要求1所述的铜箔或网,其用作集电体。3.根据权利要求1所述的铜箔或网,其中所述Cu-腈化合物络合物通过在所述铜箔或网上使所述腈化合物经受Cu的还原电位而形成。4.根据权利要求1所述的铜箔或网,其中所述腈化合物为由式R-CN或CN-R-CN代表的化合物,其中R源自于C2-C15烷烃。5.一种制造如权利要求1中定义的、包含在其表面上形成Cu-腈化合物络合物的铜箔或网的方法,其包括如下步骤:将铜箔或网浸渍到含有腈化合物的溶液中,或用该溶液涂覆铜箔或网;和对所述铜箔或网施加Cu的还原电位。6.一种电极,其包括如权利要求1至4中...

【专利技术属性】
技术研发人员:金映洙安谆昊孙美暎
申请(专利权)人:株式会社LG化学
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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