【技术实现步骤摘要】
一种气体流量调节装置和调节方法及等离子体处理装置
[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种气体流量调节装置，气体流量调节方法，及应用该气体流量调节装置的等离子体处理装置。
技术介绍
[0002]随着芯片行业的日益更新，技术节点的日趋提升，对工艺和技术的精雕细琢也有着越来越高的要求，尤其是到了3nm以下，精细化工艺就日趋突出，例如工艺的均一性，即任何薄膜的沉积，刻蚀，抛光等工艺随着纳米节点的提升都需要很高的均一性。
[0003]现阶段的工艺研发过程中，在一些新的化学环境抑或是对现有的化学环境进行进一步优化时，常常面临许多困难，其一便是均一性的调节。目前有较多的方法来进行均一性的调节，其中一个方法就是通过气体挡板(gas buffer)来调节进入气体喷淋头的气体流量，气体挡板通过安装基座(mounting base)安装至气体喷淋头(showerhead)上方，气体挡板连接外部反应气体，气体挡板一般可分为多个区域，每个区域都是相互隔离的，通过调节进入每个区域的气体比例来获得不同区域的气体含量，进而改变安装基...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种气体流量调节装置，其设置在等离子体处理装置的一真空反应腔内，所述气体流量调节装置与一外部供气装置连接，其特征在于，所述气体流量调节装置通过安装基板实现对气体喷淋头的不同区域的面积进行调节，所述气体流量调节装置包含：气体挡板，包含相对设置的顶板和底板，所述底板与安装基板配合形成同心设置的圆形气体分配区域和至少一环形气体分配区域；隔离组件，可升降地设置于所述气体挡板与安装基板之间，用于对所述圆形气体分配区域和/或所述环形气体分配区域的面积进行调节。2.如权利要求1所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述隔离组件包含至少两层同心设置的环状隔离层，升降不同的环状隔离层可以改变所述圆形气体分配区域和/或所述环形气体分配区域的面积。3.如权利要求2所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述环状隔离层包含一环状隔板，所述环状隔板为可升降活动连接。4.如权利要求3所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述环状隔离层还包含设置在所述气体挡板的顶板上的升降固定组件，所述升降固定组件连接所述环状隔板，实现所述环状隔板的升降。5.如权利要求4所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述环状隔板与所述安装基板接触的一端设置有第一密封圈，用于实现所述环状隔板与所述安装基板之间的密封。6.如权利要求4所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述环状隔板上设置有第二密封圈，所述第二密封圈位于所述气体挡板的底板上方，所述第二密封圈用于实现所述环状隔板与所述气体挡板的底板之间的密封。7.如权利要求6所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述气体挡板的底板上具有通孔，所述环状隔板降下时穿过所述通孔与所述安装基板接触。8.如权利要求7所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述通孔的形状与所述第二密封圈的形状相互契合，随着所述环状隔板下降，所述第二密封圈可以与所述通孔完全匹配贴合密封在一起，避免所述气体挡板内的气体经过所述通孔进入相邻区域。9.如权利要求7所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述气体挡板还包含连接组件，所述连接组件的一端连接所述气体挡板的顶板，所述连接组件的另一端连接所述气体挡板的底板，用以支撑所述气体挡板的底板并维持所述通孔的形状。10.如权利要求2所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述环状隔离层包含沿圆周线间隔设置的至少两个柱状隔板，以及设置在相邻的柱状隔板之间的扇环状隔板，所述柱状隔板可升降活动连接，所述扇环状隔板固定设置。11.如权利要求10所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述环状隔离层还包含设置在所述气体挡板的顶板上的升降固定组件，所述升降固定组件连接所述柱状隔板，实现所述柱状隔板的升降。12.如权利要求11所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述柱状隔板与所述安装基板接触的一端设置有第一密封圈，用于实现所述柱状隔板与所述安装基板之间的密封。13.如权利要求11所述的气体流量调节装置，其特征在于，所述柱状隔板上设置有第二密封圈，所述第二密封圈位于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵军，涂乐志，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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